Влияние ионного облучения на свойства пиролитического нитрида бора; Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2017)

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2017).— 2017.— [С. 247-249]
مؤلف مشترك: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
مؤلفون آخرون: Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Павлов С. К. Сергей Константинович, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
الملخص:Заглавие с экрана
Улучшение эксплуатационных характеристик диэлектриков достигается применением ионного облучения (ИО) с последующим термическим или радиационным отжигом для аннигиляции радиационных дефектов (РД) и формирования комплексов из имплантированных ионов и РД. Короткоимпульсная имплантация (КИИ) ионов сопровождается нагревом приповерхностных слоев, обеспечивает одновременный отжиг РД, преобразование и стабилизацию комплексов РД, что отражается на свойствах материалов. В работе исследованы электрические и оптические характеристики пиролитического нитрида бора (ПНБ) после облучения ионами углерода в режимах мощного ионного пучка и высокоинтенсивной КИИ, рассмотрены вероятные причины изменения свойств. Спектры поглощения свидетельствует о доминирующем влиянии статического беспорядка, обусловленного РД. После облучения на поверхности ПНБ формируется новый полупроводниковый материал, обладающий максимальной шириной запрещенной зоны 3.3-3.45 эВ, ее текущей величиной 2.65-2.83 эВ для прямых разрешенных переходов и 1.1-1.8 эВ для непрямых переходов и экспоненциальным краем поглощения при энергии 1.3-2.6 эВ и 2.6-3.3 эВ. Оптическое поглощение и электроперенос обусловлены РД типа анионных вакансий и их простейшими комплексами.
The improvement of operating characteristic of an insulators is achieved by using ion irradiation (II) with subsequent thermal or radiative annealing for annihilation of radiation defects (RDs) and the formation of complexes of the implanted ions and the RDs. Short-pulse implantation of ions (SPII) is accompanied by heating of the surface layers allows a simultaneous annealing of RDs, a conversion, and a stabilization of the complexes of RDs that affects the properties of the materials. The electrical and optical characteristics of pyrolytic boron nitride (PBN) after irradiation with carbon ions in the modes of power ion beam and high-intensive SPII were investigated and likely causes of changes in properties were considered. Absorption spectra indicate about dominant influence of static disorder induced by RDs. A new defective material having the maximum band gap of 3.3-3.45 eV, its current value is 2.65-2.83 eV for direct allowed transitions, and 1.1-1.8 eV for indirect transitions and the exponential edge of absorption at energies of 1.3-2.6 eV and 2.6-3.3 eV had been formed as a result of irradiation of PBN. Optical absorption and transport charge were caused by RDs such as an anion vacancies and their simplest complexes.
اللغة:الروسية
منشور في: 2017
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://elib.bsu.by/handle/123456789/182391
التنسيق: الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=656543

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 656543
005 20250620160429.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\22984 
090 |a 656543 
100 |a 20171117d2017 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a BY 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Влияние ионного облучения на свойства пиролитического нитрида бора  |f А. В. Кабышев [и др.]  |d The influence of ion irradiation on the properties of pyrolytic boron nitride 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 249 (16 назв.)] 
330 |a Улучшение эксплуатационных характеристик диэлектриков достигается применением ионного облучения (ИО) с последующим термическим или радиационным отжигом для аннигиляции радиационных дефектов (РД) и формирования комплексов из имплантированных ионов и РД. Короткоимпульсная имплантация (КИИ) ионов сопровождается нагревом приповерхностных слоев, обеспечивает одновременный отжиг РД, преобразование и стабилизацию комплексов РД, что отражается на свойствах материалов. В работе исследованы электрические и оптические характеристики пиролитического нитрида бора (ПНБ) после облучения ионами углерода в режимах мощного ионного пучка и высокоинтенсивной КИИ, рассмотрены вероятные причины изменения свойств. Спектры поглощения свидетельствует о доминирующем влиянии статического беспорядка, обусловленного РД. После облучения на поверхности ПНБ формируется новый полупроводниковый материал, обладающий максимальной шириной запрещенной зоны 3.3-3.45 эВ, ее текущей величиной 2.65-2.83 эВ для прямых разрешенных переходов и 1.1-1.8 эВ для непрямых переходов и экспоненциальным краем поглощения при энергии 1.3-2.6 эВ и 2.6-3.3 эВ. Оптическое поглощение и электроперенос обусловлены РД типа анионных вакансий и их простейшими комплексами. 
330 |a The improvement of operating characteristic of an insulators is achieved by using ion irradiation (II) with subsequent thermal or radiative annealing for annihilation of radiation defects (RDs) and the formation of complexes of the implanted ions and the RDs. Short-pulse implantation of ions (SPII) is accompanied by heating of the surface layers allows a simultaneous annealing of RDs, a conversion, and a stabilization of the complexes of RDs that affects the properties of the materials. The electrical and optical characteristics of pyrolytic boron nitride (PBN) after irradiation with carbon ions in the modes of power ion beam and high-intensive SPII were investigated and likely causes of changes in properties were considered. Absorption spectra indicate about dominant influence of static disorder induced by RDs. A new defective material having the maximum band gap of 3.3-3.45 eV, its current value is 2.65-2.83 eV for direct allowed transitions, and 1.1-1.8 eV for indirect transitions and the exponential edge of absorption at energies of 1.3-2.6 eV and 2.6-3.3 eV had been formed as a result of irradiation of PBN. Optical absorption and transport charge were caused by RDs such as an anion vacancies and their simplest complexes. 
463 |t Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2017)  |l Interaction of Radiation with Solids (IRS-2015)  |o материалы 12-й Международной конференции, 19-22 сентября 2017 г., Минск, Беларусь  |v [С. 247-249]  |f отв. ред. В. В. Углов [и др.]  |d 2017 
510 1 |a The influence of ion irradiation on the properties of pyrolytic boron nitride  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a ионное облучение 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a короткоимпульсная имплантация 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a пиролитический нитрид бора 
701 1 |a Кабышев  |b А. В.  |c специалист в области электроэнергетики  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1958-  |g Александр Васильевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27068 
701 1 |a Конусов  |b Ф. В.  |c физик  |c ведущий инженер Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1958-  |g Федор Валерьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30120  |9 14526 
701 1 |a Павлов  |b С. К.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1990-  |g Сергей Константинович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32608 
701 1 |a Ремнев  |b Г. Е.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1948-  |g Геннадий Ефимович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Лаборатория № 1  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20171214  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u http://elib.bsu.by/handle/123456789/182391 
942 |c CF