Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Fedina V. V. Valeriya Vasiljevna, Stepanenko M. V. Mikhail Valerjevich, & Yuryeva A. V. Alena Victorovna. (2017). High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9. 2017. https://doi.org/10.1134/S106378261709010X
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Fedina V. V. Valeriya Vasiljevna, Stepanenko M. V. Mikhail Valerjevich, and Yuryeva A. V. Alena Victorovna. High-voltage MIS-gated GaN Transistors; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 9. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S106378261709010X.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), et al. High-voltage MIS-gated GaN Transistors; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 9. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S106378261709010X.