Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ), Lazarenko P. I. Petr Ivanovich, Kozyukhin S. A. Sergey Aleksandrovich, Sherchenkov A. A. Aleksey Anatoljevich, Babich A. V. Aleksey Valterovich, Timoshenkov S. P. Sergey Petrovich, . . . Kozik V. V. Vladimir Vasilievich. (2017). Electrophysical Properties of Ge–Sb–Te Thin Films for Phase Change Memory Devices; Russian Physics Journal; Vol. 59, iss. 9. 2017. https://doi.org/10.1007/s11182-017-0925-x
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ), Lazarenko P. I. Petr Ivanovich, Kozyukhin S. A. Sergey Aleksandrovich, Sherchenkov A. A. Aleksey Anatoljevich, Babich A. V. Aleksey Valterovich, Timoshenkov S. P. Sergey Petrovich, Gromov D. G. Dmitry Gennadjevich, Zabolotskaya A. V. Anastasiya Vladimirovna, und Kozik V. V. Vladimir Vasilievich. Electrophysical Properties of Ge–Sb–Te Thin Films for Phase Change Memory Devices; Russian Physics Journal; Vol. 59, Iss. 9. 2017, 2017. https://doi.org/10.1007/s11182-017-0925-x.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ), et al. Electrophysical Properties of Ge–Sb–Te Thin Films for Phase Change Memory Devices; Russian Physics Journal; Vol. 59, Iss. 9. 2017, 2017. https://doi.org/10.1007/s11182-017-0925-x.