Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ), Qingyun Liu, Baodan Liu, Wenjin Yang, Bing Yang, Xinglai Zhang, . . . Xin Jiang. (2017). Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16. 2017. https://doi.org/10.1039/C7NR00032D
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ), et al. Alignment Control and Atomically-scaled Heteroepitaxial Interface Study of GaN Nanowires; Nanoscale; Vol. 9, Iss. 16. 2017, 2017. https://doi.org/10.1039/C7NR00032D.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра общей химии и химической технологии (ОХХТ), et al. Alignment Control and Atomically-scaled Heteroepitaxial Interface Study of GaN Nanowires; Nanoscale; Vol. 9, Iss. 16. 2017, 2017. https://doi.org/10.1039/C7NR00032D.