Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Naymushin A. G. Artem Georgievich, Chertkov Yu. B. Yuri Borisovich, Lebedev I. I. Ivan Igorevich, & Boyko V. I. Vladimir Ilyich. (2016). Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor; Journal of Industrial Pollution Control; Vol. 32, iss. 2. 2016.
Cita Chicago Style (17a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Naymushin A. G. Artem Georgievich, Chertkov Yu. B. Yuri Borisovich, Lebedev I. I. Ivan Igorevich, y Boyko V. I. Vladimir Ilyich. Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor; Journal of Industrial Pollution Control; Vol. 32, Iss. 2. 2016, 2016.
Cita MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), et al. Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor; Journal of Industrial Pollution Control; Vol. 32, Iss. 2. 2016, 2016.