APA (7. basım) Alıntı

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Naymushin A. G. Artem Georgievich, Chertkov Yu. B. Yuri Borisovich, Lebedev I. I. Ivan Igorevich, & Boyko V. I. Vladimir Ilyich. (2016). Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor; Journal of Industrial Pollution Control; Vol. 32, iss. 2. 2016.

Chicago Style (17. basım) Atıf

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Naymushin A. G. Artem Georgievich, Chertkov Yu. B. Yuri Borisovich, Lebedev I. I. Ivan Igorevich, ve Boyko V. I. Vladimir Ilyich. Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor; Journal of Industrial Pollution Control; Vol. 32, Iss. 2. 2016, 2016.

MLA (9th ed.) Atıf

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), et al. Feasibility Study of Creating Additional Experimental Channels for Silicon Doping in Irt-T Reactor; Journal of Industrial Pollution Control; Vol. 32, Iss. 2. 2016, 2016.