Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники (ВЭСЭ), Baksht E. Kh., Belomyttsev S. Ya., Burachenko A. G., Grishkov A. A., & Shklyaev V. A. Valeriy Aleksandrovich. (2017). Effect of emission on subnanosecond breakdown in a gas diode at low pressure. 2017. https://doi.org/10.1088/1742-6596/830/1/012014
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники (ВЭСЭ), Baksht E. Kh., Belomyttsev S. Ya., Burachenko A. G., Grishkov A. A., and Shklyaev V. A. Valeriy Aleksandrovich. Effect of Emission on Subnanosecond Breakdown in a Gas Diode at Low Pressure. 2017, 2017. https://doi.org/10.1088/1742-6596/830/1/012014.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники (ВЭСЭ), et al. Effect of Emission on Subnanosecond Breakdown in a Gas Diode at Low Pressure. 2017, 2017. https://doi.org/10.1088/1742-6596/830/1/012014.