Локальные структурные трансформации в кристаллите меди при наноиндентировании; Письма в Журнал технической физики; Т. 38, № 13

Bibliografske podrobnosti
Parent link:Письма в Журнал технической физики.— , 1975-
Т. 38, № 13.— 2012.— [С. 80-86]
Drugi avtorji: Псахье С. Г. Сергей Григорьевич, Смолин А. Ю. Алексей Юрьевич, Шилько Е. В. Евгений Викторович, Коростелев С. Ю., Дмитриев А. И. Андрей Иванович, Алексеев С. В.
Izvleček:Заглавие с экрана
Проведено молекулярно-динамическое моделирование отклика кристаллита меди на атомном уровне при локальном контактном взаимодействии. Результаты расчетов показали, что зарождение и развитие пластической деформации осуществляется по механизму генерации локальных структурных трансформаций, которые, в свою очередь, формируют дефекты более высокого уровня (дислокации, дефекты упаковки, границы раздела и т. д.). В процессе нагружения сформированные дефекты структуры распространяются из зоны контакта в глубь кристаллита и при выходе на свободную поверхность приводят к ее формоизменению.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:ruščina
Izdano: 2012
Teme:
Online dostop:http://elibrary.ru/item.asp?id=20327926
Format: Elektronski Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=654526

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 654526
005 20250312140227.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\20148 
035 |a RU\TPU\network\20094 
090 |a 654526 
100 |a 20170502d2012 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Локальные структурные трансформации в кристаллите меди при наноиндентировании  |f С. Г. Псахье [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 86 (13 назв.)] 
330 |a Проведено молекулярно-динамическое моделирование отклика кристаллита меди на атомном уровне при локальном контактном взаимодействии. Результаты расчетов показали, что зарождение и развитие пластической деформации осуществляется по механизму генерации локальных структурных трансформаций, которые, в свою очередь, формируют дефекты более высокого уровня (дислокации, дефекты упаковки, границы раздела и т. д.). В процессе нагружения сформированные дефекты структуры распространяются из зоны контакта в глубь кристаллита и при выходе на свободную поверхность приводят к ее формоизменению. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Письма в Журнал технической физики  |d 1975- 
463 |t Т. 38, № 13  |v [С. 80-86]  |d 2012 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a молекулярно-динамическое моделирование 
610 1 |a медь 
610 1 |a дислокация 
610 1 |a дефекты упаковки 
610 1 |a границы раздела 
701 1 |a Псахье  |b С. Г.  |c физик  |c заведующий лабораторией, советник ректора, заведующий кафедрой Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1952-  |g Сергей Григорьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25589 
701 1 |a Смолин  |b А. Ю.  |c специалист в области материаловедения  |c инженер Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1963-  |g Алексей Юрьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34806 
701 1 |a Шилько  |b Е. В.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1973-  |g Евгений Викторович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\35910 
701 1 |a Коростелев  |b С. Ю. 
701 1 |a Дмитриев  |b А. И.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1972-  |g Андрей Иванович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\35603 
701 1 |a Алексеев  |b С. В. 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170502  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20327926 
942 |c CF