Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the Silicon Nitride films

Dettagli Bibliografici
Parent link:Journal of Physics: Conference Series
Vol. 789 : Low temperature Plasma in the Processes of Functional Coating Preparation.— 2017.— [012028, 6 p.]
Enti autori: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
Altri autori: Kiseleva D. V. Darjya Vasiljevna, Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich, Petrakov Yu. V. Yury Vyacheslavovich, Sidelev D. V. Dmitry Vladimirovich, Korzhenko D. V. Dmitry Vladimirovich, Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Riassunto:Title screen
Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.4110[23]- 3.4810[23]cm[-3]. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply.
Lingua:inglese
Pubblicazione: 2017
Soggetti:
Accesso online:http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/789/1/012028
Natura: Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=654307

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 654307
005 20250910163935.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\19901 
090 |a 654307 
100 |a 20170424d2017 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the Silicon Nitride films  |f D. V. Kiseleva [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 10 tit.] 
330 |a Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.4110[23]- 3.4810[23]cm[-3]. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply. 
461 1 |t Journal of Physics: Conference Series 
463 1 |t Vol. 789 : Low temperature Plasma in the Processes of Functional Coating Preparation  |o VIII All-Russian (with international participation) Conference, 6-9 November 2016, Kazan, Russia  |o [proceedings]  |f Kazan Federal University  |v [012028, 6 p.]  |d 2017 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a нитрид кремния 
610 1 |a магнетроны 
610 1 |a магнетронное распыление 
610 1 |a фурье-спектрорадиометрия 
701 1 |a Kiseleva  |b D. V.  |g Darjya Vasiljevna 
701 1 |a Yuriev  |b Yu. N.  |c specialist in the field of hydrogen energy  |c Head of the laboratory of Tomsk Polytechnic University, Associate Scientist  |f 1984-  |g Yuri Nikolaevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31508  |9 15669 
701 1 |a Petrakov  |b Yu. V.  |g Yury Vyacheslavovich 
701 1 |a Sidelev  |b D. V.  |c physicist  |c engineer of Tomsk Polytechnic University  |f 1991-  |g Dmitry Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34524  |9 17905 
701 1 |a Korzhenko  |b D. V.  |c physicist  |c engineer of Tomsk Polytechnic University  |f 1988-  |g Dmitry Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37367  |9 20285 
701 1 |a Erofeev  |b E. V.  |g Evgeny Viktorovich 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21255 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра общей физики (ОФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170424  |g RCR 
856 4 |u http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/789/1/012028 
942 |c CF