Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Kutkov I. V. Iljya Viktorovich, & Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich. (2017). Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2. 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Kutkov I. V. Iljya Viktorovich, e Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich. Increase the Threshold Voltage of High Voltage GaN Transistors by Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 2. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), et al. Increase the Threshold Voltage of High Voltage GaN Transistors by Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 2. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063.