Cita APA

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Kutkov I. V. Iljya Viktorovich, & Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich. (2017). Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2. 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063

Citación estilo Chicago

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Kutkov I. V. Iljya Viktorovich, and Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich. Increase the Threshold Voltage of High Voltage GaN Transistors by Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 2. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063.

Cita MLA

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), et al. Increase the Threshold Voltage of High Voltage GaN Transistors by Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 2. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063.