APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Kutkov I. V. Iljya Viktorovich, & Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich. (2017). Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2. 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich, Fedin I. V. Ivan Vladimirovich, Kutkov I. V. Iljya Viktorovich, and Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich. Increase the Threshold Voltage of High Voltage GaN Transistors by Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 2. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), et al. Increase the Threshold Voltage of High Voltage GaN Transistors by Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment; Semiconductors; Vol. 51, Iss. 2. 2017, 2017. https://doi.org/10.1134/S1063782617020063.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.