Центры окраски и люминесценции в облученных импульсными электронными пучками кристаллах LiF(U); Оптика и спектроскопия; Т. 112, № 4

書誌詳細
Parent link:Оптика и спектроскопия.— , 1956-
Т. 112, № 4.— 2012.— [С. 632-637]
第一著者: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
団体著者: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ)
その他の著者: Моисеева А. В. Алиса Вадимовна, Денисов Г. С. Геннадий Степанович
要約:Заглавие с экрана
С использованием время-разрешающей техники оптической спектрометрии изучены характеристики центров окраски и люминесценции, наводимых в кристаллах LiF:0.01 М%U6+импульсами ускоренных электронов (0.25 МэВ, 15 нс, 8–200 мДж/см2) в области температур 77–350 К. Установлены факты совпадения значений константы времени стадии экспоненциального нарастания интенсивности катодолюминесценции в видимой области спектра после окончания импульса облучения с временами затухания группы линий в УФ области при T = 77–280 К и временами спада числа наводимых импульсом радиации Vk-центров при T > 280 К. Обсуждены механизмы заселения основного излучательного уровня центра свечения и структура его электронной и ядерной подсистем.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
言語:ロシア語
出版事項: 2012
主題:
オンライン・アクセス:http://elibrary.ru/item.asp?id=17679752
フォーマット: 電子媒体 図書の章
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652722
その他の書誌記述
要約:Заглавие с экрана
С использованием время-разрешающей техники оптической спектрометрии изучены характеристики центров окраски и люминесценции, наводимых в кристаллах LiF:0.01 М%U6+импульсами ускоренных электронов (0.25 МэВ, 15 нс, 8–200 мДж/см2) в области температур 77–350 К. Установлены факты совпадения значений константы времени стадии экспоненциального нарастания интенсивности катодолюминесценции в видимой области спектра после окончания импульса облучения с временами затухания группы линий в УФ области при T = 77–280 К и временами спада числа наводимых импульсом радиации Vk-центров при T > 280 К. Обсуждены механизмы заселения основного излучательного уровня центра свечения и структура его электронной и ядерной подсистем.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса