Сцинтилляционный процесс в NaI:Tl
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 56, № 7, ч. 2.— 2013.— [С. 122-126] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Заглавие с экрана Работа направлена на исследование люминесценции кристаллов NaI:Tl при возбуждении импульсным электронным пучком (0,25 МэВ, 15 нс, 2·10 10 эл/см 2) в температурном интервале 65-300 К с использованием времяразрешающей техники оптических измерений. В кинетике люминесценции при 425 нм дополнительно к известной стадии экспоненциального затухания в микросекундной временной области обнаружены быстрая стадия с постоянной времени τ≤ 10 нс, а также стадия пострадиационного нарастания интенсивности в субмикросе-кундной области времен при Т > 130 К. Показано, что быстрая стадия затухания люминесценции в полосе при 425 нм обусловлена внутрицентровыми излучательными переходами 1P 1→ 1S 0 в ионе Tl +; медленные стадии за тухания и пострадиационного разгорания люминесценции - термически активированными переходами 3P 1→ 1P 1 и 3Р 0 → 3Р 1 соответственно. Обсуждается вопрос о механизме передачи энергии от собственной решетки к ионам таллия. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21115168 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652721 |
| Summary: | Заглавие с экрана Работа направлена на исследование люминесценции кристаллов NaI:Tl при возбуждении импульсным электронным пучком (0,25 МэВ, 15 нс, 2·10 10 эл/см 2) в температурном интервале 65-300 К с использованием времяразрешающей техники оптических измерений. В кинетике люминесценции при 425 нм дополнительно к известной стадии экспоненциального затухания в микросекундной временной области обнаружены быстрая стадия с постоянной времени τ≤ 10 нс, а также стадия пострадиационного нарастания интенсивности в субмикросе-кундной области времен при Т > 130 К. Показано, что быстрая стадия затухания люминесценции в полосе при 425 нм обусловлена внутрицентровыми излучательными переходами 1P 1→ 1S 0 в ионе Tl +; медленные стадии за тухания и пострадиационного разгорания люминесценции - термически активированными переходами 3P 1→ 1P 1 и 3Р 0 → 3Р 1 соответственно. Обсуждается вопрос о механизме передачи энергии от собственной решетки к ионам таллия. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|