Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов CsI:Eu2+; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2

Dettagli Bibliografici
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 55, № 6-2.— 2012.— [С. 163-168]
Autore principale: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
Enti autori: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altri autori: Трефилова Л. Н. Лариса Николаевна, Мелешко А. А. Анна Алексеевна
Riassunto:Заглавие с экрана
Изучены спектрально-кинетические характеристики фотолюминесценции кристаллов CsI:Eu с содержанием активатора от 8·10 -4 до 3,9·10 -1 мас. % при импульсном возбуждении 337 нм в диапазоне температур 80-300 К. Установлено, что в кристаллах с наименьшей концентрацией Eu люминесценция обусловлена одиночными диполями Eu 2+-v c -. По мере увеличения концентрации европия в объеме кристаллов реализуется процесс агрегации одиночных диполей с образованием димеров в CsI:0,01 мас. % Eu и тримеров в кристаллах CsI:0,39 мас. % Eu.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:russo
Pubblicazione: 2012
Soggetti:
Accesso online:http://elibrary.ru/item.asp?id=18441427
Natura: MixedMaterials Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652717

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 652717
005 20250204164219.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\18055 
090 |a 652717 
100 |a 20170124d2012 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов CsI:Eu2+  |f В. Ю. Яковлев, Л. Н. Трефилова, А. А. Мелешко 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 14 назв.] 
330 |a Изучены спектрально-кинетические характеристики фотолюминесценции кристаллов CsI:Eu с содержанием активатора от 8·10 -4 до 3,9·10 -1 мас. % при импульсном возбуждении 337 нм в диапазоне температур 80-300 К. Установлено, что в кристаллах с наименьшей концентрацией Eu люминесценция обусловлена одиночными диполями Eu 2+-v c -. По мере увеличения концентрации европия в объеме кристаллов реализуется процесс агрегации одиночных диполей с образованием димеров в CsI:0,01 мас. % Eu и тримеров в кристаллах CsI:0,39 мас. % Eu. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |d 1957- 
463 |t Т. 55, № 6-2  |v [С. 163-168]  |d 2012 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a фотолюминесценция 
610 1 |a кинетика 
610 1 |a диполь 
700 1 |a Яковлев  |b В. Ю.  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1949-  |g Виктор Юрьевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22024  |9 9321 
701 1 |a Трефилова  |b Л. Н.  |g Лариса Николаевна 
701 1 |a Мелешко  |b А. А.  |c специалист в области светотехники  |c ассистент, доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук   |f 1983-  |g Анна Алексеевна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\37814  |9 20528 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18692 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170206  |g RCR 
856 4 0 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=18441427 
942 |c CF