Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении; Известия вузов. Физика; Т. 59, № 5
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 59, № 5.— 2016.— [С. 123-127] |
|---|---|
| Autor Principal: | |
| Autor Corporativo: | |
| Outros autores: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см2. Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см2. Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10-20 см2, коэффициент ожерекомбинации ~ 10-31 см6×с-1, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3×1018-1.5×1019 см-3. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
2016
|
| Subjects: | |
| Acceso en liña: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26131317 |
| Formato: | MixedMaterials Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652703 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 652703 | ||
| 005 | 20250204163746.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\18041 | ||
| 090 | |a 652703 | ||
| 100 | |a 20170124d2016 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении |f В. Д. Куликов, В. Ю. Яковлев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 15 назв.] | ||
| 330 | |a Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см2. Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см2. Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10-20 см2, коэффициент ожерекомбинации ~ 10-31 см6×с-1, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3×1018-1.5×1019 см-3. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 59, № 5 |v [С. 123-127] |d 2016 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a полупроводники | |
| 610 | 1 | |a поглощение | |
| 610 | 1 | |a свет | |
| 610 | 1 | |a носители заряда | |
| 610 | 1 | |a электронные пучки | |
| 610 | 1 | |a дефекты | |
| 610 | 1 | |a кристаллы | |
| 700 | 1 | |a Куликов |b В. Д. |g Виктор Дмитриевич | |
| 701 | 1 | |a Яковлев |b В. Ю. |c специалист в области светотехники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1949- |g Виктор Юрьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22024 |9 9321 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17233 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20170124 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=26131317 | |
| 942 | |c CF | ||