Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 59, № 5.— 2016.— [С. 123-127] |
|---|---|
| Huvudupphovsman: | |
| Institutionell upphovsman: | |
| Övriga upphovsmän: | |
| Sammanfattning: | Заглавие с экрана Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см2. Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см2. Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10-20 см2, коэффициент ожерекомбинации ~ 10-31 см6×с-1, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3×1018-1.5×1019 см-3. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Språk: | ryska |
| Publicerad: |
2016
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26131317 |
| Materialtyp: | Elektronisk Bokavsnitt |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652703 |
| Sammanfattning: | Заглавие с экрана Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см2. Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см2. Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10-20 см2, коэффициент ожерекомбинации ~ 10-31 см6×с-1, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3×1018-1.5×1019 см-3. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|