Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Journal of Applied Physics Vol. 120, iss. 5.— 2016.— [154302, 8 p.]
Autor principal:	Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Altres autors:	Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Sumari:	Title screen The influence of deep-level defects localized in spacer layers on the tunneling current in a w-AlN/GaN (0001) double-barrier structure is studied. It is shown that the current value essentially depends on the nature and spatial distribution of defects. New effects (screening of built-in fields, negative feedback, fixing of current peaks at high temperature) and a new mechanism of formation of resonances and tunneling current hysteresis caused by deep centers are established. The results of calculation agree with a number of experimental data on the position and temperature dependence of the current peak. It is noted that the current bistability can be caused by multicharged deep centers localized near the heteroboundaries of a double-barrier structure. Due to the defects, electric field in the barriers can reach values, at which the Poole-Frenkel effect should be taken into account. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:	anglès
Publicat:	2016
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Accés en línia:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4964876
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652584

Ítems similars

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2018)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2006)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2008)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2003)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2009)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2001)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
per: Narita, Tetsuo
Publicat: (2020)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2008)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2009)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
per: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicat: (2006)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Publicat: (2019)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2007)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2015)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
per: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicat: (2003)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Publicat: (2022)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
per: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicat: (2001)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Publicat: (2017)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
per: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicat: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Publicat: (2017)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicat: (2011)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicat: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicat: (2015)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
per: Ерофеев Е. В.
Publicat: (2017)

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Publicat: (2017)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Publicat: (2012)

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 10
Publicat: (2022)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
per: Томашевич А. А.
Publicat: (2017)