Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:	Journal of Applied Physics Vol. 120, iss. 5.— 2016.— [154302, 8 p.]
Κύριος συγγραφέας:	Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Άλλοι συγγραφείς:	Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Περίληψη:	Title screen The influence of deep-level defects localized in spacer layers on the tunneling current in a w-AlN/GaN (0001) double-barrier structure is studied. It is shown that the current value essentially depends on the nature and spatial distribution of defects. New effects (screening of built-in fields, negative feedback, fixing of current peaks at high temperature) and a new mechanism of formation of resonances and tunneling current hysteresis caused by deep centers are established. The results of calculation agree with a number of experimental data on the position and temperature dependence of the current peak. It is noted that the current bistability can be caused by multicharged deep centers localized near the heteroboundaries of a double-barrier structure. Due to the defects, electric field in the barriers can reach values, at which the Poole-Frenkel effect should be taken into account. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Γλώσσα:	Αγγλικά
Έκδοση:	2016
Θέματα:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Διαθέσιμο Online:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4964876
Μορφή:	Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652584

Παρόμοια τεκμήρια

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
από: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Έκδοση: (2018)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
από: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Έκδοση: (2006)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
από: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Έκδοση: (2008)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
από: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Έκδοση: (2003)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
από: Narita, Tetsuo
Έκδοση: (2020)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
από: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Έκδοση: (2009)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
από: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Έκδοση: (2001)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Έκδοση: (2019)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
από: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Έκδοση: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
από: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Έκδοση: (2008)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
από: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Έκδοση: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
από: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Έκδοση: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
από: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Έκδοση: (2006)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
από: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Έκδοση: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
από: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Έκδοση: (2012)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
από: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Έκδοση: (2007)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
από: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Έκδοση: (2015)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Έκδοση: (2022)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
από: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Έκδοση: (2003)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Έκδοση: (2016)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
από: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Έκδοση: (2001)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
από: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Έκδοση: (Новосибирск, 2025)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Έκδοση: (2013)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
από: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Έκδοση: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Έκδοση: (2017)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Έκδοση: (2017)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2013)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Έκδοση: (2015)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
από: Васенев А. С.
Έκδοση: (2012)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
από: Ли Цзысюань
Έκδοση: (2017)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
από: Олешко В. И. Владимир Иванович
Έκδοση: (2015)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Έκδοση: (2011)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
από: Ерофеев Е. В.
Έκδοση: (2017)

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 10
Έκδοση: (2022)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Έκδοση: (2015)

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Έκδοση: (2017)

Interaction of Si Atom with the (001) Surface of TiN, AlN and TaN Compounds; Coatings; Vol. 13, iss. 8
Έκδοση: (2024)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Έκδοση: (2012)