Механизм подавления электронного тока в ионном диоде с магнитной самоизоляцией; Письма в Журнал технической физики; Т. 38, № 3

Detalles Bibliográficos
Parent link:Письма в Журнал технической физики.— , 1975-
Т. 38, № 3.— 2012.— [С. 79-87]
Autor Principal: Пушкарёв А. И. Александр Иванович
Autor Corporativo: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий
Outros autores: Исакова Ю. И. Юлия Ивановна
Summary:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследования процесса генерации импульсного ионного пучка гигаваттной мощности, формируемого диодом с взрывоэмиссионным потенциальным электродом в режиме магнитной самоизоляции. Показано, что в диоде происходит эффективное плазмообразование и в течение генерации ионного пучка выполняется условие магнитной отсечки электронов по всей длине диода. Но из-за высокой скорости дрейфа время нахождения электронов и протонов в анод-катодном зазоре одинаково и составляет 3-5 ns, а для ионов углерода C+ превышает 8 ns. Это указывает на низкую эффективность магнитной самоизоляции в диоде. В то же время экспериментально обнаружено, что в течение генерации ионного тока происходит подавление полного тока в 1.5-2 раза для полоскового диода плоской и фокусирующей геометрии. Предложен новый механизм ограничения эмиссии электронов, объясняющий процесс снижения величины электронной компоненты полного тока.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:ruso
Publicado: 2012
Subjects:
Acceso en liña:http://elibrary.ru/item.asp?id=20327788
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652395

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 652395
005 20250401145742.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\17697 
035 |a RU\TPU\network\17614 
090 |a 652395 
100 |a 20161221d2012 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Механизм подавления электронного тока в ионном диоде с магнитной самоизоляцией  |f А. И. Пушкарёв, Ю. И. Исакова 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 87 (12 назв.)] 
330 |a Представлены результаты исследования процесса генерации импульсного ионного пучка гигаваттной мощности, формируемого диодом с взрывоэмиссионным потенциальным электродом в режиме магнитной самоизоляции. Показано, что в диоде происходит эффективное плазмообразование и в течение генерации ионного пучка выполняется условие магнитной отсечки электронов по всей длине диода. Но из-за высокой скорости дрейфа время нахождения электронов и протонов в анод-катодном зазоре одинаково и составляет 3-5 ns, а для ионов углерода C+ превышает 8 ns. Это указывает на низкую эффективность магнитной самоизоляции в диоде. В то же время экспериментально обнаружено, что в течение генерации ионного тока происходит подавление полного тока в 1.5-2 раза для полоскового диода плоской и фокусирующей геометрии. Предложен новый механизм ограничения эмиссии электронов, объясняющий процесс снижения величины электронной компоненты полного тока. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Письма в Журнал технической физики  |d 1975- 
463 |t Т. 38, № 3  |v [С. 79-87]  |d 2012 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ток 
610 1 |a ионные диоды 
610 1 |a магнитная самоизоляция 
700 1 |a Пушкарёв  |b А. И.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |c старший научный сотрудник НИИ ВН Томского политехнического университета  |f 1954-  |g Александр Иванович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26414  |9 12118 
701 1 |a Исакова  |b Ю. И.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1988-  |g Юлия Ивановна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26408  |9 12112 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Институт физики высоких технологий  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17233  |9 26577 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161221  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20327788 
942 |c CF