Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов), Rychkov M. M. Maksim Mikhailovich, Kaplin V. V. Valery Viktorovich, Sukharnikov K. V. Konstantin Vladimirovich, & Vaskovsky I. K. Ivan Kirillovich. (2016). Generation of X rays at the grazing incidence of 18-MeV electrons on a thin Si crystal in a betatron chamber; JETP Letters; Vol. 103, iss. 11. 2016. https://doi.org/10.1134/S0021364016110114
Chicago-viite (17. p.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов), Rychkov M. M. Maksim Mikhailovich, Kaplin V. V. Valery Viktorovich, Sukharnikov K. V. Konstantin Vladimirovich, ja Vaskovsky I. K. Ivan Kirillovich. Generation of X Rays at the Grazing Incidence of 18-MeV Electrons on a Thin Si Crystal in a Betatron Chamber; JETP Letters; Vol. 103, Iss. 11. 2016, 2016. https://doi.org/10.1134/S0021364016110114.
MLA-viite (9. p.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 42 (Сильноточных бетатронов), et al. Generation of X Rays at the Grazing Incidence of 18-MeV Electrons on a Thin Si Crystal in a Betatron Chamber; JETP Letters; Vol. 103, Iss. 11. 2016, 2016. https://doi.org/10.1134/S0021364016110114.