Эффект радиационной «памяти» в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 59, № 9
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 59, № 9.— 2016.— [С. 100-104] |
|---|---|
| Hlavní autor: | |
| Korporace: | , |
| Další autoři: | |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Воздействие ионизирующей радиации на щелочно-галоидные кристаллы приводит к нарушению их структуры, появлению радиационных дефектов и образованию электронных и дырочных центров окраски. Разрушение центров окраски при нагревании сопровождается обесцвечиванием кристалла, люминесценцией, радиочастотной электромагнитной эмиссией (РЭМЭ). После полного термообесцвечивания кристалла радиационные дефекты отжигаются не полностью, так как освобождаемые нагреванием из центров окраски электроны и дырки оставляют заряженные локально нескомпенсированные дефекты. Скопления этих «предцентров» приводят к появлению электрической микрогетерогенности кристалла, образованию квазиэлектретного состояния и возникновению микроразрядов, сопровождающихся радиоизлучением. Генерирование РЭМЭ, связанное с остаточной дефектностью, является проявлением эффекта радиационной «памяти» в диэлектриках. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2016
|
| Edice: | Физика конденсированного состояния |
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26691202 |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=652199 |