The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Microelectronics Reliability Vol. 65.— 2016.— [P. 55-59]
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Юргинский технологический институт (филиал) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания
Altres autors:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich, Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna, Asanov I. A. Ivan Aleksandrovich, Simonova A. V. Anastasiya Vladimirovna
Sumari:	Title screen This paper represents the results of investigation of preliminary fast neutron irradiation influence on reliability of IR-LEDs manufactured on the basis of AlGaAs heterostructures. It is determined that design margin of LEDs is defined by catastrophic failures that are driven by mechanical destruction of LED packages rather than their lighting technology characteristics. The upper and lower limits of catastrophic failure probability are determined. In addition, the upper limit is shown to be dependent on the melt temperature of ohmic contact used to fix the chip to chip carrier. The preliminary fast neutron irradiation leads to the shift of defined temperature limits while the probability of catastrophic failure grows with neutron fluence that can be explained by lower radiation resistance of ohmic contact.
Idioma:	anglès
Publicat:	2016
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светоизлучающие диоды гетероструктуры быстрые нейтроны
Accés en línia:	http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.143
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651544

Ítems similars

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Publicat: (Томск, 2012)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Publicat: (Томск, 2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Publicat: (Томск, 2012)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
per: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicat: (2014)

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons
Publicat: (2022)

Influence of preliminary irradiation by gamma-quanta on development of catastrophic failures during operation of IR-LEDs
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2017)

A Technique for Studying the Resistance of LEDS to Irradiation by Fast Neutrons at the IRT-T Reactor
Publicat: (2021)

Influence of the fast neutron irradiation on the IR-LEDs reliability
Publicat: (2014)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
per: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Publicat: (Томск, 2001)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
per: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2001)

Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой
per: Сычева А. В.
Publicat: (2016)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2014)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)

Theoretical and Experimental Study of Led Luminaire
per: Gurin S. Yu. Sergey Yurievich
Publicat: (2015)

In-service change in radiant power of infrared LEDs
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)

Coherent bremsstrahlung from fast neutrons
per: Kunashenko Yu. P. Yuriy Petrovich
Publicat: (2011)

Determination of the critical conditions of heat transfer in a LED
per: Rudenko O. M. Oleg Maksimovich
Publicat: (2015)

Influence of irradiation by 60Co gamma-quanta on reliability of IR-LEDs based upon AlGaAs heterostructures
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)

Nitride semiconductor light- emitting diodes (LEDs) Materials, technologies and applications
Publicat: (Oxford, Woodhead Publishing Limited, 2014)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Combined Action of Fast Neutrons and Operational Factors on Reliability of Infrared LEDs
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2017)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Efficient generation of fast neutrons by magnetized deuterons in an optimized deuterium gas-puff z-pinch
Publicat: (2015)

Оптоэлектроника пер. с фр.
per: Розеншер Э.
Publicat: (Москва, Техносфера, 2004)

Оптоэлектроника пер. с фр.
per: Розеншер Э.
Publicat: (Москва, Техносфера, 2006)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Fast neutron activation analysis. Elemental Lfnf Base
per: McKlveen J. W. John W.
Publicat: (Collingwood, Ann Arbor Science, 1981)

The dependency of fast neutron flux and spectra on the collimation-field size and geometry for fast neutron therapy purposes
per: Shehada A. Abdullah
Publicat: (2021)

Fast reactor BREST-300
per: Novoselov A. E.
Publicat: (2014)

Coherent bremsstrahlung from neutrons
per: Kunashenko Yu. P. Yuriy Petrovich
Publicat: (2015)