Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру: научно-технический сборник/ Научно-исследовательский институт приборов.— , 1973- № 1.— 2016.— [С. 37-41]
1. Verfasser:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Körperschaften:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт неразрушающего контроля Лаборатория № 51 (Радиационных испытаний материалов и изделий), Национальный исследовательский Томский политехнический университет Юргинский технологический институт (филиал) Кафедра сварочного производства
Weitere Verfasser:	Рубанов П. В. Павел Владимирович, Седнев В. В. Вячеслав Владимирович
Zusammenfassung:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования изменения параметров светодиодов ИК-диапазона, изготовленных на основе двойных гетероструктур AlGaAs, под воздействием гамма-квантов 60Со в зависимости от температуры облучения. В результате исследований установлено, что существует несколько следующих друг за другом этапов снижения мощности излучения светодиодов при воздействии ионизирующего излучения. Повышение температуры при облучении гамма-квантами приводит к повышению стойкости на первом этапе вследствие радиационно-стимулированного отжига дефектов, что приводит снижению относительного вклада первого этапа в общее снижение мощности. Установлено, что при температуре облучения более 380 К первый этап снижения мощности излучения светодиодов исключается полностью. На втором этапе наблюдаемое повышение стойкости определяется только снижением относительного вклада менее стойкого первого этапа в общее снижение мощности излучения. The research results of the parameter change in the IR-LEDs manufactured on the basis of double AlGaAs heterostructures influenced by 60Со gamma-quantum depending on radiation temperature are presented. Based on the research results it is established that there are several consecutive stages of photo diode radiation power reduction under the ionizing radiation influence. Temperature increase under gamma-quantum radiation leads to radiation hardening at the first stage due to radiation-induced defect annealing, which leads to decrease in relative contribution of the first stage into general power reduction. It is established that under radiation temperature of 380 K the first photo diode power reduction stage is eliminated completely. At the second stage the observed hardening is determined only by reductio Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	2016
Schlagworte:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светодиоды гетероструктуры Ик-диапазоны гамма-кванты температура
Online-Zugang:	http://elibrary.ru/item.asp?id=26131820
Format:	Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651514