Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 1
| Parent link: | Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру: научно-технический сборник/ Научно-исследовательский институт приборов.— , 1973- № 1.— 2016.— [С. 37-41] |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Körperschaften: | , |
| Weitere Verfasser: | , |
| Zusammenfassung: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования изменения параметров светодиодов ИК-диапазона, изготовленных на основе двойных гетероструктур AlGaAs, под воздействием гамма-квантов 60Со в зависимости от температуры облучения. В результате исследований установлено, что существует несколько следующих друг за другом этапов снижения мощности излучения светодиодов при воздействии ионизирующего излучения. Повышение температуры при облучении гамма-квантами приводит к повышению стойкости на первом этапе вследствие радиационно-стимулированного отжига дефектов, что приводит снижению относительного вклада первого этапа в общее снижение мощности. Установлено, что при температуре облучения более 380 К первый этап снижения мощности излучения светодиодов исключается полностью. На втором этапе наблюдаемое повышение стойкости определяется только снижением относительного вклада менее стойкого первого этапа в общее снижение мощности излучения. The research results of the parameter change in the IR-LEDs manufactured on the basis of double AlGaAs heterostructures influenced by 60Со gamma-quantum depending on radiation temperature are presented. Based on the research results it is established that there are several consecutive stages of photo diode radiation power reduction under the ionizing radiation influence. Temperature increase under gamma-quantum radiation leads to radiation hardening at the first stage due to radiation-induced defect annealing, which leads to decrease in relative contribution of the first stage into general power reduction. It is established that under radiation temperature of 380 K the first photo diode power reduction stage is eliminated completely. At the second stage the observed hardening is determined only by reductio Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://elibrary.ru/item.asp?id=26131820 |
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=651514 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 651514 | ||
| 005 | 20250321145553.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\16763 | ||
| 090 | |a 651514 | ||
| 100 | |a 20161115d2016 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияния температуры на стойкость светодиодов ИК-диапазона к облучению гамма-квантами 60Со |d The Temperature Effect on IR-LEDs Hardness to Radiation with 60Со Gamma-Quantum |f А. В. Градобоев, П. В. Рубанов, В. В. Седнев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 7 назв.] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования изменения параметров светодиодов ИК-диапазона, изготовленных на основе двойных гетероструктур AlGaAs, под воздействием гамма-квантов 60Со в зависимости от температуры облучения. В результате исследований установлено, что существует несколько следующих друг за другом этапов снижения мощности излучения светодиодов при воздействии ионизирующего излучения. Повышение температуры при облучении гамма-квантами приводит к повышению стойкости на первом этапе вследствие радиационно-стимулированного отжига дефектов, что приводит снижению относительного вклада первого этапа в общее снижение мощности. Установлено, что при температуре облучения более 380 К первый этап снижения мощности излучения светодиодов исключается полностью. На втором этапе наблюдаемое повышение стойкости определяется только снижением относительного вклада менее стойкого первого этапа в общее снижение мощности излучения. | ||
| 330 | |a The research results of the parameter change in the IR-LEDs manufactured on the basis of double AlGaAs heterostructures influenced by 60Со gamma-quantum depending on radiation temperature are presented. Based on the research results it is established that there are several consecutive stages of photo diode radiation power reduction under the ionizing radiation influence. Temperature increase under gamma-quantum radiation leads to radiation hardening at the first stage due to radiation-induced defect annealing, which leads to decrease in relative contribution of the first stage into general power reduction. It is established that under radiation temperature of 380 K the first photo diode power reduction stage is eliminated completely. At the second stage the observed hardening is determined only by reductio | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру |o научно-технический сборник |f Научно-исследовательский институт приборов |d 1973- | ||
| 463 | |t № 1 |v [С. 37-41] |d 2016 | ||
| 510 | 1 | |a The Temperature Effect on IR-LEDs Hardness to Radiation with 60Со Gamma-Quantum |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a Ик-диапазоны | |
| 610 | 1 | |a гамма-кванты | |
| 610 | 1 | |a температура | |
| 700 | 1 | |a Градобоев |b А. В. |c физик |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1952- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 |9 10707 | |
| 701 | 1 | |a Рубанов |b П. В. |c специалист в области неразрушающего контроля |c инженер Томского политехнического университета |f 1981- |g Павел Владимирович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29319 |9 13906 | |
| 701 | 1 | |a Седнев |b В. В. |c специалист в области машиностроения |c старший преподаватель Юргинского технологического института Томского политехнического университета |f 1976- |g Вячеслав Владимирович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30726 |9 14997 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Лаборатория № 51 (Радиационных испытаний материалов и изделий) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19294 |9 27432 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Юргинский технологический институт (филиал) |b Кафедра сварочного производства |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18891 |9 27240 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20161115 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=26131820 | |
| 942 | |c CF | ||