In-service change in radiant power of infrared LEDs; Control and Communications (SIBCON)

In-service change in radiant power of infrared LEDs; Control and Communications (SIBCON)

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:	Control and Communications (SIBCON).— 2016.— [5 p.]
Հիմնական հեղինակ:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Համատեղ հեղինակներ:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Այլ հեղինակներ:	Simonova A. V. Anastasiya Vladimirovna, Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Ամփոփում:	Title screen At present infrared light emitting diodes are used in diverse scanning and optical security systems of nuclear and power plants. The purpose of work is research reducing radiant power during step-by-step accelerated test at higher ambient temperature. The objects of research are infrared light emitting diodes based on dual AlGaAs heterostructures. Two-stage reduction of radiant power has been revealed: first, it is decreased since the original defect structure is rearranged during the operating time; second, new structural defects appear during the further operating time. Moreover, devices are divided into three characteristic groups in view of the second stage, which probably have the same defect with three quasi-stationary states. We assume origination of this defect is caused by production technology of light emitting diodes. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Լեզու:	անգլերեն
Հրապարակվել է:	2016
Խորագրեր:	электронный ресурс труды учёных ТПУ инфракрасные светоизлучающие диоды светодиоды дефекты
Առցանց հասանելիություն:	http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2016.7491662
Ձևաչափ:	Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=650711

Նմանատիպ նյութեր

Influence of preliminary irradiation by gamma-quanta on development of catastrophic failures during operation of IR-LEDs; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2017)

Nitride semiconductor light- emitting diodes (LEDs): Materials, technologies and applications
Հրապարակվել է: (Oxford, Woodhead Publishing Limited, 2014)

Determination of the critical conditions of heat transfer in a LED; European Physical Journal Web of Conferences (EPJ Web of Conferences); Vol. 82 : Thermophysical Basis of Energy Technologies
‌: Rudenko O. M. Oleg Maksimovich
Հրապարակվել է: (2015)

Надежность светоизлучающих диодов; Современное состояние и проблемы естественных наук
‌: Симонова А. В.
Հրապարակվել է: (2015)

Исследование метода струйной печати для производства OLED панелей и светодиодов; Вестник науки Сибири; № 1 (2)
‌: Сим П. Е. Павел Евгеньевич
Հրապարակվել է: (2012)

Substituent-sensitive fluorescence of sequentially N-alkylated tetrabenzotetraaza[8]circulenes; New Journal of Chemistry; Vol. 41, iss. 15
Հրապարակվել է: (2017)

Theoretical and Experimental Study of Led Luminaire; Applied Mechanics and Materials; Vol. 756 : Mechanical Engineering, Automation and Control Systems (MEACS2014)
‌: Gurin S. Yu. Sergey Yurievich
Հրապարակվել է: (2015)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Հրապարակվել է: (2016)

Т. 1; Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги
Հրապարակվել է: (2004)

Схемотехника оптоэлектронных устройств. Передающие оптоэлектронные устройства учебное пособие
‌: Никитин Ю. А.
Հրապարակվել է: (Санкт-Петербург, СПбГУТ им. М.А. Бонч-Бруевича, 2021)

Combined Action of Fast Neutrons and Operational Factors on Reliability of Infrared LEDs; Inorganic Materials: Applied Research; Vol. 9, iss. 5
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2018)

Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике лабораторный практикум
‌: Кузнецов Г. Д.
Հրապարակվել է: (Москва, МИСИС, 2002)

Физические основы оптоэлектроники. Светодиоды учебное пособие
‌: Рыбина Н. В.
Հրապարակվել է: (Рязань, РГРТУ, 2017)

Two-layer high-efficiency OLED-structures based on new polyfluorenes; Химия и химическая технология в XXI веке
‌: Kurtsevich A. E.
Հրապարակվել է: (2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
‌: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
‌: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)

Электролюминесцентные источники света
Հրապարակվել է: (Москва, Энергоатомиздат, 1990)

Уникальные возможности применения белых светоизлучающих диодов в дизайне; Современные техника и технологии; Т. 3
‌: Чичёв А. А.
Հրապարակվել է: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
‌: Рубанов П. В. Павел Владимирович
Հրապարակվել է: (Томск, 2012)

Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения; Современные техника и технологии; Т. 1
‌: Гущин В. А.
Հրապարակվել է: (2012)

Дисплеи: пер. с англ.
Հրապարակվել է: (Москва, Мир, 1982)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2015)

Solar Simulator on the Basis of Powerful Light-Emitting Diodes; MATEC Web of Conferences; Vol. 155 : Information and Measuring Equipment and Technologies (IME&T 2017)
Հրապարակվել է: (2018)

Особенности применения оптронов в режиме малых токов
‌: Игумнов Д. В. Дмитрий Васильевич
Հրապարակվել է: (Москва, Энергия, 1979)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
‌: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Հրապարակվել է: (Томск, 2001)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
‌: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2001)

Полупроводниковые диоды и схемы с диодами: справочное пособие
‌: Ровдо А. А. Алексей Александрович
Հրապարակվել է: (Москва, Лайт Лтд, 2000)

A computational study of aromaticity and photophysical properties of unsymmetrical azatrioxa[8]circulenes; New Journal of Chemistry; Vol. 41, iss. 7
Հրապարակվել է: (2017)

Элементы индикации
‌: Лисицын Б. Л. Борис Львович
Հրապարակվել է: (Москва, Энергия, 1978)

Полупроводниковые светоизлучающие диоды
‌: Коган Л. М. Лев Моисеевич
Հրապարակվել է: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)

Применение оптоэлектронных приборов: пер. с англ.
Հրապարակվել է: (Москва, Радио и связь, 1981)

Исследование стабильности наносекундных источников света на основе синих светоизлучающих диодов из соединений CaN и InGaN; Приборы и техника эксперимента; № 4
‌: Вятчин Е. Э.
Հրապարակվել է: (2004)

Элементы оптоэлектроники учебное пособие
‌: Богатиков Е. В.
Հրապարակվել է: (Воронеж, ВГУ, 2010)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Հրապարակվել է: (2010)

Effect of suquence of combined impact of influencing factors on operation of IR-LEDs; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 18th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter (18th RPC)
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2018)

Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник
Հրապարակվել է: (Екатеринбург, АТП, 2015)

Effect of temperature on resistance of leds based on algaas to 60СО gamma radiation; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2016)

Т. 4; Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги
Հրապարակվել է: (2003)

Светоизлучающие диоды и их применение
‌: Мухитдинов М. М. Мухсинжон Муминович
Հրապարակվել է: (Москва, Радио и связь, 1988)

Effects of P-N Junction Built-In Electric Field on Ir-Led Resistance under Gamma Rays Irradiation; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
‌: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Հրապարակվել է: (2015)