The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP; Control and Communications (SIBCON)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Control and Communications (SIBCON).— 2016.— [4 p.]
Autore principale:	Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра сварочного производства (КСП)
Altri autori:	Litvinenko V. V. Viktoriya Vladimirovna, Krit T. B. Timofey Borisovich
Riassunto:	Title screen New regularities in radiation defects formation in the space charge region were established for indium phosphide with application of the method of deep level transient spectroscopy. The given regulations differ markedly from the regulations in the neutral region. The authors develop physical models of these processes and their mathematical description. They also work out new concepts of the processes of radiation defects formation in indium phosphide based on taking into account charge states of defects and their recharge dynamics. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:	inglese
Pubblicazione:	2016
Soggetti:	электронный ресурс труды учёных ТПУ радиационные дефекты фосфиды спектроскопия
Accesso online:	http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2016.7491677
Natura:	Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=650710

Documenti analoghi

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Новиков В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
di: Новиков В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
di: Новиков В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2007)

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (2006)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (2008)

Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия
di: Гончаров Е. Г. Евгений Григорьевич
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1989)

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes; Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V" (3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
di: Peshev V. V.
Pubblicazione: (2006)

Influence of radiation-induced defects on the overheating of a metal target; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 20th International Symposium on High-Current Electronics (20SHCE), Tomsk, September 16-22
Pubblicazione: (2018)

Relationship the processes of the radiation defect formation at proton irradiaton with markov chains; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
di: Kupchishin A. I. Anatoliy Ivanovich
Pubblicazione: (2016)

Defect formation into Schottky barrier on InP; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Peshev V. V.
Pubblicazione: (2006)

Люминесценция широкозонных полупроводников
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1987)

Инверсионно-вольтамперометрический контроль некоторых тяжелых металлов в фосфиде цинка; Электрохимические методы анализа
di: Михайлова З. С. Зинаида Сергеевна
Pubblicazione: (1989)

The Effect of Radiation Defects in a Metal Target on the Error in the Thermal-Imaging Diagnostics of Powerful Ion Beam; Instruments and Experimental Techniques; Vol. 62, No. 2
Pubblicazione: (2019)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
di: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Pubblicazione: (2016)

Анализ тугоплавких соединений
Pubblicazione: (Москва, Металлургиздат, 1962)

Переработка отвального монацита Туганского месторождения; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
di: Белякова Е. О.
Pubblicazione: (2020)

Амфотерные примеси в полупроводниках
di: Фистуль В. И. Виктор Ильич
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1992)

Полупроводниковые арсениды и фосфиды элементов III группы
Pubblicazione: (Ташкент, Фан, 1981)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
di: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Pubblicazione: (2015)

Фосфид индия в полупроводниковой электронике: сборник статей
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Stabilization of primary mobile radiation defects in MgF2 crystals; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 374 : Basic Research on Ionic-Covalent Materials
Pubblicazione: (2016)

Influence of radiation defects on the error of thermal imaging diagnostics of high-power ion beams; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 18th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter (18th RPC)
Pubblicazione: (2018)

Formation of neutron fields for radiation technologies; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552 : International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Pubblicazione: (2014)

Оптические фундаментальные спектры соединений группы AIII BV
di: Соболев В. В. Валентин Викторович
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1979)

Термодинамика взаимодействия марганца с фосфором
di: Гвелесиани Г. Г. Гурам Георгиевич
Pubblicazione: (Тбилиси, Мецниереба, 1982)

Химия фосфидов с полупроводниковыми свойствами
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1970)

Физико-химия полупроводникового материаловедения
Pubblicazione: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1978)

Фосфид галлия
Pubblicazione: (Кишинев, Ред.-изд. отдел АН Молдавской ССР, 1969)

Т. 1 : Самородные элементы. Интерметаллические соединения. Карбиды, нитриды, фосфиды. Арсениды, антимониды. Висмутиды. Сульфиды. Селениды. Теллуриды; Минералы
Pubblicazione: (1960)

Über die Phosphide des Eisens: Sonder-Abdruck
di: Konstantinow N.
Pubblicazione: (Hamburg, Verlag von Leopold Voss, 1910)

Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия
di: Коротченков Г. С. Геннадий Сергеевич
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Соединения редкоземельных элементов : Гидриды, бориды, карбиды, фосфиды, пниктиды, халькогениды, псевдогалогениды
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1983)

Термодинамика соединений лантаноидов: справочник
di: Гордиенко С. П. Станислав Петрович
Pubblicazione: (Киев, Наукова думка, 1979)

Квантовая химия в материаловедении
di: Губанов В. А. Владимир Александрович
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1987)

Defects formation in YSZ ceramics with different Y2O3 content irradiated with 0.25 MeV electrons energy; Radiation Physics and Chemistry; Vol. 189
Pubblicazione: (2021)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Pubblicazione: (Томск, 1989)

Study of the Regularities of Low- and Super-Low-Energy High-intensity Metal Ion Beams Formation; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online)
Pubblicazione: (2020)

Radiation, heat and shock-wave processes in the system "High power on beam - metal"; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Pubblicazione: (2016)

Mode of formation of intrinsic radiation defects in calcium fluoride crystals; Soviet Physics Journal; Vol. 15, № 5
Pubblicazione: (1972)

Полупроводниковые соединения группы А(II) B(V)
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1978)