Рождение электрон-позитронных пар каналирующей заряженной частицей; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016

Bibliografske podrobnosti
Parent link:XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016.— 2016.— [С. 45]
Glavni avtor: Кунашенко Ю. П. Юрий Петрович
Korporativna značnica: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Drugi avtorji: Фартушев И. В. Илья Викторович
Izvleček:Заглавие с экрана
В данной работе рассмотрен новый процесс образования + - e e пар при переходах заряженных частиц с одного уровня энергии на другой. Взаимодействие частицы с внешним полем учитывается путем решения соответствующего уравнения Дирака. В этом случае процесс образования + - e e пар описывается в представлении Фарри /1/ в более низком порядке теории возмущений по срав- нению с работами /2,3/. Впервые на образование электрон - позитронных пар каналированной заряженной частицей было указано в /3/, где была дана оценка сечения данного процесса. В некотором смысле рассматриваемый процесс аналогичен образованию электрон - позитронных пар при рекомбинации электрона с ядром /4/. Рассмотрены случаи осевого и плоскостного каналирования. Найдено дифференциальное сечение процесса. Исследованы угловые распределения образованных электрона и позитрона и зависимость сечения от энергии начальной частицы.
Jezik:ruščina
Izdano: 2016
Serija:Физика ориентационных эффектов
Teme:
Online dostop:http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=45
Format: Elektronski Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=650654

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 650654
005 20250903142304.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\15887 
090 |a 650654 
100 |a 20161014d2016 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Рождение электрон-позитронных пар каналирующей заряженной частицей  |f Ю. П. Кунашенко, И. В. Фартушев 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Физика ориентационных эффектов 
300 |a Заглавие с экрана 
330 |a В данной работе рассмотрен новый процесс образования + - e e пар при переходах заряженных частиц с одного уровня энергии на другой. Взаимодействие частицы с внешним полем учитывается путем решения соответствующего уравнения Дирака. В этом случае процесс образования + - e e пар описывается в представлении Фарри /1/ в более низком порядке теории возмущений по срав- нению с работами /2,3/. Впервые на образование электрон - позитронных пар каналированной заряженной частицей было указано в /3/, где была дана оценка сечения данного процесса. В некотором смысле рассматриваемый процесс аналогичен образованию электрон - позитронных пар при рекомбинации электрона с ядром /4/. Рассмотрены случаи осевого и плоскостного каналирования. Найдено дифференциальное сечение процесса. Исследованы угловые распределения образованных электрона и позитрона и зависимость сечения от энергии начальной частицы. 
463 |t XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016  |o тезисы докладов, г. Москва, 31 мая - 2 июня 2016 г.  |f Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ)  |v [С. 45]  |d 2016 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a рассеяние 
610 1 |a фотоны 
700 1 |a Кунашенко  |b Ю. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1958-  |g Юрий Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28143 
701 1 |a Фартушев  |b И. В.  |g Илья Викторович 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21255 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161014  |g RCR 
856 4 |u http://danp.sinp.msu.ru/pci2016/PragramFull_pci2016.pdf#page=45 
942 |c CF