Действие ионной обработки на электрическую проводимость приповерхностных слоев оксидных поликристаллических полупроводников; Системы. Методы. Технологии; № 1 (21)
| Parent link: | Системы. Методы. Технологии: научный журнал.— , 2009- № 1 (21).— 2014.— [С. 107-111] |
|---|---|
| Autor Principal: | |
| Corporate Authors: | , |
| Outros autores: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Изучено влияние ионного облучения на электропроводность приповерхн. слоев двух типов поликристаллических Li-Ti-ферритовых полупроводников. Исследуемые образцы отличались друг от друга величиной электропроводности и энергией активации электропереноса E[σ]. Облучение проводилось ускоренными ионами Ar{+} с энергией E=150 кэВ флюенсом Φ=10{16} ион/см{2}. Установлено, что ионная обработка высокоомных ферритов приводит к значительному снижению энергии активации E[σ] и существенному увеличению электропроводности их приповерхн. слоев. Действие ионного пучка на указанные характеристики низкоомных образцов является значительно более слабым. Обнаруженное понижение численных значений E[σ] объясняется снижением в результате облучения величины межзеренного потенц. барьера, существующего в оксидных поликристаллических полупроводн. структурах. Причиной падения барьерной разности потенциала является понижение степени окисления межзеренной границы, вызванное преимущественной десорбцией из ее области кислорода под действием ионного пучка. Определена термич. стабильность эффекта ионно-радиационного модифицирования электрич. характеристик исследуемых ферритов. The effect of ion irradiation on the electrical conductivity of the near-surface layers of two types of polycrystalline Li-Ti ferrite semiconductors was investigated. Test samples differed from each other by the conductivity and activation energy of charge transfer Е s. Irradiation was carried out with accelerated ions Ar + with energy E = 150 keV, fluence F = 10 16 ions / cm 2. It was found that for ferrites with high-resistivity observed a significant reduction in the activation energy Е sand a substantial increase in the electrical conductivity of the near-surface layers as a result of ion treatment. Effect of the ion treatment of ferrites with low-resistivity is much weaker. The observed reduction of the numerical values of Е sunder irradiation was explained by decreasing of value of grain boundary potential barrier existing in polycrystalline oxide semiconductor structures. The reason for the decreasing of the barrier potential difference is to reduce oxidation of the grain boundary due to the desorption of oxygen from this region under the influence of the ion beam. The thermal stability of the effect of ion- radiation modification of the electrical characteristics of the studied ferrites was determined. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
2014
|
| Subjects: | |
| Acceso en liña: | http://brstu.ru/static/unit/journal_smt/docs/number_21/107-111.pdf http://elibrary.ru/item.asp?id=21359061 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=649223 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 649223 | ||
| 005 | 20250303133816.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\14384 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\10176 | ||
| 090 | |a 649223 | ||
| 100 | |a 20160624d2014 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Действие ионной обработки на электрическую проводимость приповерхностных слоев оксидных поликристаллических полупроводников |d Ion treatment effect on the electrical conductivity of the surface layers of polycrystalline oxide semiconductors |f Т. С. Франгульян, С. А. Гынгазов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 111 (9 назв.)] | ||
| 330 | |a Изучено влияние ионного облучения на электропроводность приповерхн. слоев двух типов поликристаллических Li-Ti-ферритовых полупроводников. Исследуемые образцы отличались друг от друга величиной электропроводности и энергией активации электропереноса E[σ]. Облучение проводилось ускоренными ионами Ar{+} с энергией E=150 кэВ флюенсом Φ=10{16} ион/см{2}. Установлено, что ионная обработка высокоомных ферритов приводит к значительному снижению энергии активации E[σ] и существенному увеличению электропроводности их приповерхн. слоев. Действие ионного пучка на указанные характеристики низкоомных образцов является значительно более слабым. Обнаруженное понижение численных значений E[σ] объясняется снижением в результате облучения величины межзеренного потенц. барьера, существующего в оксидных поликристаллических полупроводн. структурах. Причиной падения барьерной разности потенциала является понижение степени окисления межзеренной границы, вызванное преимущественной десорбцией из ее области кислорода под действием ионного пучка. Определена термич. стабильность эффекта ионно-радиационного модифицирования электрич. характеристик исследуемых ферритов. | ||
| 330 | |a The effect of ion irradiation on the electrical conductivity of the near-surface layers of two types of polycrystalline Li-Ti ferrite semiconductors was investigated. Test samples differed from each other by the conductivity and activation energy of charge transfer Е s. Irradiation was carried out with accelerated ions Ar + with energy E = 150 keV, fluence F = 10 16 ions / cm 2. It was found that for ferrites with high-resistivity observed a significant reduction in the activation energy Е sand a substantial increase in the electrical conductivity of the near-surface layers as a result of ion treatment. Effect of the ion treatment of ferrites with low-resistivity is much weaker. The observed reduction of the numerical values of Е sunder irradiation was explained by decreasing of value of grain boundary potential barrier existing in polycrystalline oxide semiconductor structures. The reason for the decreasing of the barrier potential difference is to reduce oxidation of the grain boundary due to the desorption of oxygen from this region under the influence of the ion beam. The thermal stability of the effect of ion- radiation modification of the electrical characteristics of the studied ferrites was determined. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Системы. Методы. Технологии |o научный журнал |d 2009- | ||
| 463 | |t № 1 (21) |v [С. 107-111] |d 2014 | ||
| 510 | 1 | |a Ion treatment effect on the electrical conductivity of the surface layers of polycrystalline oxide semiconductors |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электропроводность | |
| 610 | 1 | |a поверхностные явления | |
| 610 | 1 | |a полупроводники | |
| 610 | 1 | |a ионные пучки | |
| 610 | 1 | |a облучение | |
| 610 | 1 | |a оксидные слои | |
| 700 | 1 | |a Франгульян |b Т. С. |c специалист в области электроники, диэлектриков и полупроводников |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1940- |g Тамара Семёновна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534 |9 12228 | |
| 701 | 1 | |a Гынгазов |b С. А. |c специалист в области электроники |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1958- |g Сергей Анатольевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531 |9 12225 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Кафедра физических методов и приборов контроля качества |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18709 |9 27162 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19033 |9 27309 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160624 |g RCR | |
| 856 | 4 | 0 | |u http://brstu.ru/static/unit/journal_smt/docs/number_21/107-111.pdf |
| 856 | 4 | 0 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21359061 |
| 942 | |c CF | ||