Модифицирование свойств циркониевой керамики сильноточным пучком низкоэнергетических электронов
| Источник: | Перспективные материалы.— , 1995- № 4.— 2006.— [С. 58-64] |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , |
| Примечания: | Заглавие с экрана Изучено влияние сильноточного импульсного пучка низкоэнергетических электронов (СИПНЭ) с плотностью энергии в импульсе W[и]=13,5 Дж/см{2} на приповерхностные слои частично стабилизированного диоксида циркония. Установлено, что при таком воздействии происходит образование сетки трещин, в результате чего структура поверхности приобретает фрагментарный характер со средним размером фрагмента 24 мкм. Обнаружено изменение фазового состава циркониевой керамики, обусловленное переходом моноклинной фазы в тетрагональную, а также рост электропроводности приповерхностных слоев. Исследовано действие электронной обработки на микротвердость приповерхностных слоев керамики. Анализ результатов проведен с учетом вклада упругого восстановления отпечатка индентора в эффекты ее радиационного изменения. Установлено, что упругое восстановление отпечатка в модифицированном СИПНЭ приповерхностном слое протекает более эффективно. Учет этого фактора позволил выявить реальное влияние электронной обработки на микротвердость керамики. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Опубликовано: |
2006
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://elibrary.ru/item.asp?id=12969225 |
| Формат: | Электронный ресурс Статья |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=649219 |
| Примечания: | Заглавие с экрана Изучено влияние сильноточного импульсного пучка низкоэнергетических электронов (СИПНЭ) с плотностью энергии в импульсе W[и]=13,5 Дж/см{2} на приповерхностные слои частично стабилизированного диоксида циркония. Установлено, что при таком воздействии происходит образование сетки трещин, в результате чего структура поверхности приобретает фрагментарный характер со средним размером фрагмента 24 мкм. Обнаружено изменение фазового состава циркониевой керамики, обусловленное переходом моноклинной фазы в тетрагональную, а также рост электропроводности приповерхностных слоев. Исследовано действие электронной обработки на микротвердость приповерхностных слоев керамики. Анализ результатов проведен с учетом вклада упругого восстановления отпечатка индентора в эффекты ее радиационного изменения. Установлено, что упругое восстановление отпечатка в модифицированном СИПНЭ приповерхностном слое протекает более эффективно. Учет этого фактора позволил выявить реальное влияние электронной обработки на микротвердость керамики. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|