Электронно-микроскопические исследования приповерхностных слоев композиционной керамики системы ZrO[2](Y) - Al[2]O[3], модифицированных сильноточным пучком низкоэнергетических электронов; Перспективные материалы; № 1
| Parent link: | Перспективные материалы.— , 1995- № 1.— 2014.— [С. 55-59] |
|---|---|
| Autor corporatiu: | |
| Altres autors: | , , , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) изучено действие сильноточного импульсного пучка низкоэнергетических электронов на структурное состояние приповерхностных слоев композиционной керамики системы ZrO[2](Y) - Al[2]O[3] с различным уровнем пористости. Показано, что электронная обработка приводит к плавлению и последующей кристаллизации приповерхностного слоя керамики толщиной 30 - 40 мкм. Проведен РЭМ анализ микроструктуры поверхности и поперечного сечения модифицированных электронным пучком слоев керамических образцов. Показано, что в облученном приповерхностном слое всех исследованных типов керамики поры и зерна корундовой фазы практически отсутствовали. Обнаружено, что облучение электронным пучком керамических материалов приводит к уменьшению размера зерен и формированию текстуры в их приповерхностных слоях. The effect of low-energy high-current pulsed electron beam on the structural state of near-surface layers of composite ceramics of ZrO 2 (Y) - Al 2O 3 with different levels of porosity is investigated. It is shown that electron-beam treatment leads to melting and subsequent crystallization of ceramic nearsurface layer thickness of 30 - 40 μm. SEM analysis of the microstructure surface and cross section of the modified electron beam layers of ceramic samples was carried out. It is shown that in the irradiated surface layer of all the types of ceramics pores and grains of corundum phase are practically absent. It was found that irradiation by electron beam of ceramics material results in decrease of grain size and formation of texture in near-surface layer. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2014
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21090933 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=649216 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 649216 | ||
| 005 | 20250303131015.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\14377 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\3830 | ||
| 090 | |a 649216 | ||
| 100 | |a 20160624d2014 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Электронно-микроскопические исследования приповерхностных слоев композиционной керамики системы ZrO[2](Y) - Al[2]O[3], модифицированных сильноточным пучком низкоэнергетических электронов |d Electron microscopy study of ZrO 2(Y) - Al 2O 3 composite ceramics near-surface layers modified by high-current low-energy electron beam |f А. П. Суржиков, Т. С. Франгульян, С. А. Гынгазов, И. П. Васильев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 59 (5 назв.)] | ||
| 330 | |a Методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) изучено действие сильноточного импульсного пучка низкоэнергетических электронов на структурное состояние приповерхностных слоев композиционной керамики системы ZrO[2](Y) - Al[2]O[3] с различным уровнем пористости. Показано, что электронная обработка приводит к плавлению и последующей кристаллизации приповерхностного слоя керамики толщиной 30 - 40 мкм. Проведен РЭМ анализ микроструктуры поверхности и поперечного сечения модифицированных электронным пучком слоев керамических образцов. Показано, что в облученном приповерхностном слое всех исследованных типов керамики поры и зерна корундовой фазы практически отсутствовали. Обнаружено, что облучение электронным пучком керамических материалов приводит к уменьшению размера зерен и формированию текстуры в их приповерхностных слоях. | ||
| 330 | |a The effect of low-energy high-current pulsed electron beam on the structural state of near-surface layers of composite ceramics of ZrO 2 (Y) - Al 2O 3 with different levels of porosity is investigated. It is shown that electron-beam treatment leads to melting and subsequent crystallization of ceramic nearsurface layer thickness of 30 - 40 μm. SEM analysis of the microstructure surface and cross section of the modified electron beam layers of ceramic samples was carried out. It is shown that in the irradiated surface layer of all the types of ceramics pores and grains of corundum phase are practically absent. It was found that irradiation by electron beam of ceramics material results in decrease of grain size and formation of texture in near-surface layer. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Перспективные материалы |d 1995- | ||
| 463 | |t № 1 |v [С. 55-59] |d 2014 | ||
| 510 | 1 | |a Electron microscopy study of ZrO 2(Y) - Al 2O 3 composite ceramics near-surface layers modified by high-current low-energy electron beam |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a композиционные материалы | |
| 610 | 1 | |a электронные пучки | |
| 610 | 1 | |a влияние | |
| 610 | 1 | |a поверхностные слои | |
| 610 | 1 | |a микроструктура | |
| 610 | 1 | |a текстура | |
| 701 | 1 | |a Суржиков |b А. П. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1951- |g Анатолий Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010 |9 9307 | |
| 701 | 1 | |a Франгульян |b Т. С. |c специалист в области электроники, диэлектриков и полупроводников |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1940- |g Тамара Семёновна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26534 |9 12228 | |
| 701 | 1 | |a Гынгазов |b С. А. |c специалист в области электроники |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1958- |g Сергей Анатольевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26531 |9 12225 | |
| 701 | 1 | |a Васильев |b И. П. |c специалист в области электротехники |c лаборант-исследователь Томского политехнического университета |f 1990- |g Иван Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30664 |9 14945 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Институт неразрушающего контроля |b Кафедра физических методов и приборов контроля качества |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18709 |9 27162 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20201111 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21090933 | |
| 942 | |c CF | ||