О возможности получения объемного материала на основе кубического карбида вольфрама WC1-x плазмодинамическим методом

Bibliographic Details
Parent link:Физическое материаловедение: международная школа с элементами научной школы для молодежи (Тольятти, 31 января – 5 февраля 2016 г.) : сборник конкурсных докладов/ отв. ред. А. Ю. Виноградов, Д. Л. Мерсон. [С. 119-123].— , 2016
Main Author: Шатрова К. Н. Ксения Николаевна
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
Other Authors: Сивков А. А. Александр Анатольевич
Summary:Заглавие с экрана
В работе показана возможность получения покрытия на основе кубической фазы карбида вольфрама WC1-х прямым плазмодинамическим методом с помощью коаксиального магнитоплазменного ускорителя. В полученном покрытии кубический карбид вольфрама со стехиометрией WC0,73 имеет постоянную решетки 4,2399 Å и ОКР, равные 26 нм. Также в процессе синтеза был получен ультрадисперсный порошок карбида вольфрама WC0,68 с параметром решетки 4,2325 Å и ОКР, составляющими 34 нм.
Language:Russian
Published: 2016
Subjects:
Online Access:http://www.issp.ac.ru/ebooks/conf/konkurs-2016.pdf#page=121
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=649148

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 649148
005 20250904164432.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\14309 
035 |a RU\TPU\network\14308 
090 |a 649148 
100 |a 20160622d2016 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a О возможности получения объемного материала на основе кубического карбида вольфрама WC1-x плазмодинамическим методом  |f К. Н. Шатрова, А. А. Сивков 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 122-123 (23 назв.)] 
330 |a В работе показана возможность получения покрытия на основе кубической фазы карбида вольфрама WC1-х прямым плазмодинамическим методом с помощью коаксиального магнитоплазменного ускорителя. В полученном покрытии кубический карбид вольфрама со стехиометрией WC0,73 имеет постоянную решетки 4,2399 Å и ОКР, равные 26 нм. Также в процессе синтеза был получен ультрадисперсный порошок карбида вольфрама WC0,68 с параметром решетки 4,2325 Å и ОКР, составляющими 34 нм. 
463 |t Физическое материаловедение  |o международная школа с элементами научной школы для молодежи (Тольятти, 31 января – 5 февраля 2016 г.) : сборник конкурсных докладов  |f отв. ред. А. Ю. Виноградов, Д. Л. Мерсон  |v [С. 119-123]  |d 2016 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Шатрова  |b К. Н.  |g Ксения Николаевна 
701 1 |a Сивков  |b А. А.  |c специалист в области электроэнергетики  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1951-  |g Александр Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26846  |9 12465 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Энергетический институт (ЭНИН)  |b Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18676 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20141010 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160622  |g RCR 
856 4 |u http://www.issp.ac.ru/ebooks/conf/konkurs-2016.pdf#page=121 
942 |c CF