Aluminum films deposition by magnetron sputtering systems:Influence of target state and pulsing unit

Aluminum films deposition by magnetron sputtering systems:Influence of target state and pulsing unit

Бібліографічні деталі
Parent link:	Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, OPEN 2016: Book of Abstracts 3rd International School and Conference, St Petersburg, Russia, March 28-30, 2016. [P. 571-572].— , 2016
Співавтори:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
Інші автори:	Sidelev D. V. Dmitry Vladimirovich, Yuryeva A. V. Alena Victorovna, Krivobokov V. P. Valery Pavlovich, Shabunin A. S. Artem Sergeevich, Syrtanov M. S. Maksim Sergeevich, Koyshybaeva Zh. K. Zhanymgul Koyshybaykyzy
Резюме:	Title screen This article reports on technological possibilities of magnetron sputtering systemswith solid-state and liquid targets to deposition of Al films and its structure. There is shown acomparing of deposition rate of magnetron sputtering systems with direct current (DC), midfrequency(MF) and high power pulsed (HiPIMS) supplies. The dependence of plasmacomposition, films stricture and sputtering technique parameters is obtained.
Опубліковано:	2016
Предмети:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Онлайн доступ:	http://spbopen.spbau.com/PDF/Book_of_Abstracts_SPBOPEN_2016.pdf#page=571
Формат:	Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648815

Інтернет

http://spbopen.spbau.com/PDF/Book_of_Abstracts_SPBOPEN_2016.pdf#page=571