Осаждение сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления

Dades bibliogràfiques
Parent link:Журнал технической физики.— , 1931-
Т. 86, вып. 2.— 2016.— [С. 59-64]
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики
Altres autors: Оскомов К. В. Константин Владимирович, Захаров А. Н. Александр Николаевич, Работкин С. В. Сергей Викторович, Соловьёв А. А. Андрей Александрович
Sumari:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10-100 mus, частота повторения импульсов 20-2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 mus) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (1013 cm-3) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Publicat: 2016
Col·lecció:Физическое материаловедение
Matèries:
Accés en línia:http://journals.ioffe.ru/articles/42741
http://elibrary.ru/item.asp?id=25669200
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648317

Ítems similars