Осаждение сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Журнал технической физики.— , 1931-
Т. 86, вып. 2.— 2016.— [С. 59-64]
Körperschaft: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики
Weitere Verfasser: Оскомов К. В. Константин Владимирович, Захаров А. Н. Александр Николаевич, Работкин С. В. Сергей Викторович, Соловьёв А. А. Андрей Александрович
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10-100 mus, частота повторения импульсов 20-2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 mus) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (1013 cm-3) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Veröffentlicht: 2016
Schriftenreihe:Физическое материаловедение
Schlagworte:
Online-Zugang:http://journals.ioffe.ru/articles/42741
http://elibrary.ru/item.asp?id=25669200
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648317

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 648317
005 20250220125856.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\13474 
090 |a 648317 
100 |a 20160517d2016 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Осаждение сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления  |f К. В. Оскомов [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Физическое материаловедение 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 64 (15 назв.)] 
330 |a Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10-100 mus, частота повторения импульсов 20-2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 mus) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (1013 cm-3) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Журнал технической физики  |d 1931- 
463 |t Т. 86, вып. 2  |v [С. 59-64]  |d 2016 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a магнетронное распыление 
610 1 |a импульсы 
610 1 |a осаждение 
701 1 |a Оскомов  |b К. В.  |g Константин Владимирович 
701 1 |a Захаров  |b А. Н.  |g Александр Николаевич 
701 1 |a Работкин  |b С. В.  |g Сергей Викторович 
701 1 |a Соловьёв  |b А. А.  |c специалист в области водородной энергетики  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1977-  |g Андрей Александрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28694  |9 13504 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Физико-технический институт  |b Кафедра экспериментальной физики  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21255  |9 27946 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160517  |g RCR 
856 4 |u http://journals.ioffe.ru/articles/42741 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=25669200 
942 |c CF