Осаждение сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления
| Parent link: | Журнал технической физики.— , 1931- Т. 86, вып. 2.— 2016.— [С. 59-64] |
|---|---|
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10-100 mus, частота повторения импульсов 20-2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 mus) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (1013 cm-3) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2016
|
| Series: | Физическое материаловедение |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://journals.ioffe.ru/articles/42741 http://elibrary.ru/item.asp?id=25669200 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648317 |
| Summary: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10-100 mus, частота повторения импульсов 20-2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 mus) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (1013 cm-3) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|