Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Физика и техника полупроводников.— , 1967-
Т. 37, вып. 4.— 2003.— [С. 450-455]
1. Verfasser: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Weitere Verfasser: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. В ограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в 2 раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Veröffentlicht: 2003
Schlagworte:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Online-Zugang:http://journals.ioffe.ru/articles/5250
http://elibrary.ru/item.asp?id=20333566
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648241

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge