Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 37, вып. 4.— 2003.— [С. 450-455] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. В ограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в 2 раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://journals.ioffe.ru/articles/5250 http://elibrary.ru/item.asp?id=20333566 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648241 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648241 | ||
| 005 | 20250220094159.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13398 | ||
| 090 | |a 648241 | ||
| 100 | |a 20160513d2003 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) |d The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1?x N(0001) structures |f С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 13 назв.] | ||
| 330 | |a На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. В ограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в 2 раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Физика и техника полупроводников |d 1967- | ||
| 463 | |t Т. 37, вып. 4 |v [С. 450-455] |d 2003 | ||
| 510 | 1 | |a The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1?x N(0001) structures |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 700 | 1 | |a Гриняев |b С. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1951- |g Сергей Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 |9 13685 | |
| 701 | 1 | |a Разжувалов |b А. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Александр Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656 |9 17300 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160513 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/articles/5250 | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20333566 | |
| 942 | |c CF | ||