Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6

書誌詳細
Parent link:	Semiconductors: Scientific Journal Vol. 40, iss. 6.— 2006.— [P. 675-680]
第一著者:	Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
その他の著者:	Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
要約:	Title screen The specific features of the tunneling current in wurtzite GaN/AlGaN(0001) two-barrier structures are studied by solving the Schrodinger equation and the Poisson equation simultaneously, with regard to spontaneous and piezoelectric polarizations. It is shown that the internal fields manifest themselves in the asymmetry of the tunneling current via the value of the electronic charge in the quantum well. This charge is larger when the internal and external fields in the well compensate each other, resulting in smaller shifts of potential and resonance levels in the active region with voltage, in the higher resistance of the structure, and in the linear current-voltage dependence within a wide range of voltages. When the internal and external fields are the same, the current exhibits a sharp negative-differential-conductivity structure, with the peak-to-valley ratio equal to about four. The structure is similar to one of the branches of the current-voltage characteristic of the GaAs/AlGaAs(001) two-barrier structure, suggesting that nitrides are promising materials for resonance-tunneling devices. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
言語:	英語
出版事項:	2006
シリーズ:	Low-Dimensional Systems
主題:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
オンライン･アクセス:	http://dx.doi.org/10.1134/S1063782606060121
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648238

類似資料

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
著者:: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
出版事項: (2008)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
著者:: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
出版事項: (2009)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
著者:: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
出版事項: (2003)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
著者:: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
出版事項: (2016)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
著者:: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
出版事項: (2018)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
著者:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
出版事項: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
著者:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
出版事項: (2008)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
著者:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
出版事項: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
著者:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
出版事項: (2005)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
著者:: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
出版事項: (2006)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
著者:: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
出版事項: (2001)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
出版事項: (2022)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
著者:: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
出版事項: (2012)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
著者:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
出版事項: (2007)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
著者:: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
出版事項: (2015)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
出版事項: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
著者:: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
出版事項: (Новосибирск, 2025)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
著者:: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
出版事項: (2015)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
著者:: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
出版事項: (2012)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
出版事項: (2017)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
出版事項: (2019)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
著者:: Narita, Tetsuo
出版事項: (2020)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
著者:: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
出版事項: (2003)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
出版事項: (2012)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
著者:: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
出版事項: (2001)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
出版事項: (2013)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
出版事項: (2017)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3
著者:: Менькович Е. А.
出版事項: (2012)

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 10
出版事項: (2022)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2015)

Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment; Semiconductors; Vol. 51, iss. 2
出版事項: (2017)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
出版事項: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
著者:: Ли Цзысюань
出版事項: (2017)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2015)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
著者:: Васенев А. С.
出版事項: (2012)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
著者:: Ерофеев Е. В.
出版事項: (2017)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
出版事項: (2011)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
出版事項: (2015)