Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)

Bibliografske podrobnosti
Parent link:	Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 40, вып. 6.— 2006.— [С. 695-700]
Glavni avtor:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Drugi avtorji:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izvleček:	Заглавие с экрана На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:	ruščina
Izdano:	2006
Teme:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online dostop:	http://journals.ioffe.ru/articles/6083 http://elibrary.ru/item.asp?id=20334425
Format:	Elektronski Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648237

Podobne knjige/članki

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2005)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2007)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2009)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
od: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Izdano: (2008)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2006)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
od: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Izdano: (2009)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2008)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Izdano: (2015)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Izdano: (2022)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
od: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Izdano: (2012)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
od: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Izdano: (2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
od: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Izdano: (2012)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
od: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Izdano: (2003)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2016)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Izdano: (2012)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2015)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2003)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Izdano: (2019)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
od: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Izdano: (2001)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
od: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Izdano: (2001)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Izdano: (2016)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
od: Narita, Tetsuo
Izdano: (2020)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Izdano: (2013)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
od: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Izdano: (2015)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Izdano: (2017)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Izdano: (2017)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3
od: Менькович Е. А.
Izdano: (2012)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
od: Ли Цзысюань
Izdano: (2017)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Izdano: (2011)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Izdano: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
od: Олешко В. И. Владимир Иванович
Izdano: (2013)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Izdano: (2015)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2011)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
od: Ерофеев Е. В.
Izdano: (2017)

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Izdano: (2017)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
od: Томашевич А. А.
Izdano: (2017)