Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 40, вып. 6.— 2006.— [С. 695-700] |
|---|---|
| Glavni avtor: | |
| Drugi avtorji: | |
| Izvleček: | Заглавие с экрана На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Jezik: | ruščina |
| Izdano: |
2006
|
| Teme: | |
| Online dostop: | http://journals.ioffe.ru/articles/6083 http://elibrary.ru/item.asp?id=20334425 |
| Format: | Elektronski Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648237 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648237 | ||
| 005 | 20250220093820.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13394 | ||
| 090 | |a 648237 | ||
| 100 | |a 20160513d2006 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) |d Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures |f С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 10 назв.] | ||
| 330 | |a На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Физика и техника полупроводников |d 1967- | ||
| 463 | |t Т. 40, вып. 6 |v [С. 695-700] |d 2006 | ||
| 510 | 1 | |a Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 700 | 1 | |a Гриняев |b С. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1951- |g Сергей Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 |9 13685 | |
| 701 | 1 | |a Разжувалов |b А. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Александр Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656 |9 17300 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160513 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/articles/6083 | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20334425 | |
| 942 | |c CF | ||