Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)

Bibliographic Details
Parent link:Физика и техника полупроводников.— , 1967-
Т. 42, вып. 5.— 2008.— [С. 595-603]
Main Author: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Other Authors: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Summary:Заглавие с экрана
На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследованы особенности гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001). Показано, что петля гистерезиса зависит от взаимной ориентации внешнего и внутреннего полей в яме и шире при той полярности, когда эти поля компенсируют друг друга. В рамках однорезонансного приближения развита модель туннельного тока двухбарьерной структуры, определена связь параметров петли гистерезиса и резонансных состояний. Установлено, что при участии двух резонансов петля гистерезиса может быть довольно широкой (~4 B) даже в геометрически симметричных структурах. В несимметричных структурах изменение типа поверхности роста приводит к усилению или подавлению петли гистерезиса в зависимости от чередования неэквивалентных барьеров.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:Russian
Published: 2008
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Online Access:http://journals.ioffe.ru/articles/6579
http://elibrary.ru/item.asp?id=20317443
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648233

Similar Items

Similar Items