Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 42, вып. 5.— 2008.— [С. 595-603] |
|---|---|
| Auteur principal: | |
| Autres auteurs: | |
| Résumé: | Заглавие с экрана На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследованы особенности гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001). Показано, что петля гистерезиса зависит от взаимной ориентации внешнего и внутреннего полей в яме и шире при той полярности, когда эти поля компенсируют друг друга. В рамках однорезонансного приближения развита модель туннельного тока двухбарьерной структуры, определена связь параметров петли гистерезиса и резонансных состояний. Установлено, что при участии двух резонансов петля гистерезиса может быть довольно широкой (~4 B) даже в геометрически симметричных структурах. В несимметричных структурах изменение типа поверхности роста приводит к усилению или подавлению петли гистерезиса в зависимости от чередования неэквивалентных барьеров. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2008
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://journals.ioffe.ru/articles/6579 http://elibrary.ru/item.asp?id=20317443 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648233 |