Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
| Parent link: | Физика и техника полупроводников.— , 1967- Т. 42, вып. 5.— 2008.— [С. 595-603] |
|---|---|
| 第一著者: | |
| その他の著者: | |
| 要約: | Заглавие с экрана На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследованы особенности гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001). Показано, что петля гистерезиса зависит от взаимной ориентации внешнего и внутреннего полей в яме и шире при той полярности, когда эти поля компенсируют друг друга. В рамках однорезонансного приближения развита модель туннельного тока двухбарьерной структуры, определена связь параметров петли гистерезиса и резонансных состояний. Установлено, что при участии двух резонансов петля гистерезиса может быть довольно широкой (~4 B) даже в геометрически симметричных структурах. В несимметричных структурах изменение типа поверхности роста приводит к усилению или подавлению петли гистерезиса в зависимости от чередования неэквивалентных барьеров. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 言語: | ロシア語 |
| 出版事項: |
2008
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://journals.ioffe.ru/articles/6579 http://elibrary.ru/item.asp?id=20317443 |
| フォーマット: | 電子媒体 図書の章 |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648233 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648233 | ||
| 005 | 20250220093412.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13390 | ||
| 090 | |a 648233 | ||
| 100 | |a 20160513d2008 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001) |d Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures |f А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 21 назв.] | ||
| 330 | |a На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследованы особенности гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001). Показано, что петля гистерезиса зависит от взаимной ориентации внешнего и внутреннего полей в яме и шире при той полярности, когда эти поля компенсируют друг друга. В рамках однорезонансного приближения развита модель туннельного тока двухбарьерной структуры, определена связь параметров петли гистерезиса и резонансных состояний. Установлено, что при участии двух резонансов петля гистерезиса может быть довольно широкой (~4 B) даже в геометрически симметричных структурах. В несимметричных структурах изменение типа поверхности роста приводит к усилению или подавлению петли гистерезиса в зависимости от чередования неэквивалентных барьеров. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Физика и техника полупроводников |d 1967- | ||
| 463 | |t Т. 42, вып. 5 |v [С. 595-603] |d 2008 | ||
| 510 | 1 | |a Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 700 | 1 | |a Разжувалов |b А. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Александр Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656 |9 17300 | |
| 701 | 1 | |a Гриняев |b С. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1951- |g Сергей Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 |9 13685 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160513 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/articles/6579 | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20317443 | |
| 942 | |c CF | ||