Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:	Физика твёрдого тела.— , 1975- Т. 43, вып. 3.— 2001.— [С. 529-535]
Egile nagusia:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Beste egile batzuk:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Gaia:	Заглавие с экрана Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено туннелирование электронов через напряженные вюрцитные структуры GaN/Ga1-xAlxN(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (x<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. При прохождении электронов через двухбарьерные структуры выраженные резонансные пики получаются при толщине барьеров в несколько монослоев, характерное время столкновения в области резонанса составляет ~ 1 ps. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к "красному" или "голубому" сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (GaN)n(Ga1-xAlxN)m внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствие внешнего поля. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Hizkuntza:	errusiera
Argitaratua:	2001
Gaiak:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Sarrera elektronikoa:	http://journals.ioffe.ru/articles/38102 http://elibrary.ru/item.asp?id=21321870
Formatua:	xMaterials Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648226

Antzeko izenburuak

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
nork: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Argitaratua: (2003)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
nork: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Argitaratua: (2003)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
nork: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Argitaratua: (2001)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
nork: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Argitaratua: (2006)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
nork: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Argitaratua: (2008)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
nork: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Argitaratua: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
nork: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Argitaratua: (2012)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
nork: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Argitaratua: (2006)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
nork: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Argitaratua: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
nork: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Argitaratua: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
nork: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Argitaratua: (2008)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
nork: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Argitaratua: (2018)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Argitaratua: (2019)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
nork: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Argitaratua: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
nork: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Argitaratua: (2005)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Argitaratua: (2022)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
nork: Narita, Tetsuo
Argitaratua: (2020)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Argitaratua: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
nork: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Argitaratua: (Новосибирск, 2025)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
nork: Олешко В. И. Владимир Иванович
Argitaratua: (2013)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Argitaratua: (2017)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Argitaratua: (2013)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
nork: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Argitaratua: (2007)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
nork: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Argitaratua: (2015)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
nork: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Argitaratua: (2016)

Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
nork: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Argitaratua: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
nork: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Argitaratua: (2015)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
nork: Олешко В. И. Владимир Иванович
Argitaratua: (2015)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Argitaratua: (2017)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
nork: Олешко В. И. Владимир Иванович
Argitaratua: (2013)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Argitaratua: (2015)

Tuning of mechanical properties of Ti1?xAlxN coatings through Ta alloying; Surface and Coatings Technology; Vol. 382
Argitaratua: (2020)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
nork: Ли Цзысюань
Argitaratua: (2017)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
nork: Олешко В. И. Владимир Иванович
Argitaratua: (2015)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
nork: Васенев А. С.
Argitaratua: (2012)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Argitaratua: (2011)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
nork: Ерофеев Е. В.
Argitaratua: (2017)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Argitaratua: (2015)

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Argitaratua: (2017)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Argitaratua: (2012)