Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
| Parent link: | Физика твёрдого тела.— , 1975- Т. 43, вып. 3.— 2001.— [С. 529-535] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Altres autors: | |
| Sumari: | Заглавие с экрана Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено туннелирование электронов через напряженные вюрцитные структуры GaN/Ga1-xAlxN(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (x<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. При прохождении электронов через двухбарьерные структуры выраженные резонансные пики получаются при толщине барьеров в несколько монослоев, характерное время столкновения в области резонанса составляет ~ 1 ps. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к "красному" или "голубому" сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (GaN)n(Ga1-xAlxN)m внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствие внешнего поля. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2001
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://journals.ioffe.ru/articles/38102 http://elibrary.ru/item.asp?id=21321870 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648226 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648226 | ||
| 005 | 20250220092815.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13383 | ||
| 090 | |a 648226 | ||
| 100 | |a 20160513d2001 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта |d Resonant electron tunneling in GaN/Ga1−x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffect |f С. Н. Гриняев, А. Н. Разжувалов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 36 назв.] | ||
| 330 | |a Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено туннелирование электронов через напряженные вюрцитные структуры GaN/Ga1-xAlxN(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (x<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. При прохождении электронов через двухбарьерные структуры выраженные резонансные пики получаются при толщине барьеров в несколько монослоев, характерное время столкновения в области резонанса составляет ~ 1 ps. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к "красному" или "голубому" сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (GaN)n(Ga1-xAlxN)m внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствие внешнего поля. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Физика твёрдого тела |d 1975- | ||
| 463 | |t Т. 43, вып. 3 |v [С. 529-535] |d 2001 | ||
| 510 | 1 | |a Resonant electron tunneling in GaN/Ga1−x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffect |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 700 | 1 | |a Гриняев |b С. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1951- |g Сергей Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 |9 13685 | |
| 701 | 1 | |a Разжувалов |b А. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Александр Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656 |9 17300 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160513 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/articles/38102 | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21321870 | |
| 942 | |c CF | ||