Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта
| Parent link: | Физика твёрдого тела.— , 1975- Т. 43, вып. 3.— 2001.— [С. 529-535] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Otros Autores: | |
| Sumario: | Заглавие с экрана Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено туннелирование электронов через напряженные вюрцитные структуры GaN/Ga1-xAlxN(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (x<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. При прохождении электронов через двухбарьерные структуры выраженные резонансные пики получаются при толщине барьеров в несколько монослоев, характерное время столкновения в области резонанса составляет ~ 1 ps. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к "красному" или "голубому" сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (GaN)n(Ga1-xAlxN)m внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствие внешнего поля. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2001
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://journals.ioffe.ru/articles/38102 http://elibrary.ru/item.asp?id=21321870 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648226 |
| Sumario: | Заглавие с экрана Методами псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено туннелирование электронов через напряженные вюрцитные структуры GaN/Ga1-xAlxN(0001). Показано, что при небольшой концентрации алюминия (x<0.3) результаты многозонных расчетов удовлетворительно описываются однодолинной моделью метода огибающей волновой функции при учете зависимости эффективной массы от энергии и деформации. При прохождении электронов через двухбарьерные структуры выраженные резонансные пики получаются при толщине барьеров в несколько монослоев, характерное время столкновения в области резонанса составляет ~ 1 ps. Внутренние электрические поля, связанные со спонтанной и пьезоэлектрической поляризацией, приводят к "красному" или "голубому" сдвигу резонансных энергий в зависимости от толщины и расположения барьеров по отношению к полярной оси. В сверхрешетках (GaN)n(Ga1-xAlxN)m внутренние поля могут формировать штарковскую лестницу электронных состояний при небольшом числе ультратонких слоев даже в отсутствие внешнего поля. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|