“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1

Bibliografske podrobnosti
Parent link:Физика твёрдого тела.— , 1975-
Т. 51, вып. 1.— 2009.— [С. 178-188]
Glavni avtor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Drugi avtorji: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Izvleček:Заглавие с экрана
На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN(0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано, что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:ruščina
Izdano: 2009
Teme:
Online dostop:http://journals.ioffe.ru/articles/2097
http://elibrary.ru/item.asp?id=20320450
Format: Elektronski Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648220

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 648220
005 20250219162249.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\13377 
090 |a 648220 
100 |a 20160513d2009 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)   |d A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures  |f А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 188 (18 назв.)] 
330 |a На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN(0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано, что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Физика твёрдого тела  |d 1975- 
463 |t Т. 51, вып. 1  |v [С. 178-188]  |d 2009 
510 1 |a A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Разжувалов  |b А. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук   |f 1976-  |g Александр Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656  |9 17300 
701 1 |a Гриняев  |b С. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1951-  |g Сергей Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952  |9 13685 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160513  |g RCR 
856 4 |u http://journals.ioffe.ru/articles/2097 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20320450 
942 |c CF