“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
| Parent link: | Физика твёрдого тела.— , 1975- Т. 51, вып. 1.— 2009.— [С. 178-188] |
|---|---|
| Հիմնական հեղինակ: | |
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN(0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано, что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2009
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://journals.ioffe.ru/articles/2097 http://elibrary.ru/item.asp?id=20320450 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648220 |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана На основе самосогласованного расчета туннельного тока двухбарьерной структуры w-GaN/AlGaN(0001) развита "конденсаторная" модель гистерезиса, в которой скачки тока, изменения потенциала и электрического поля в структуре при переходе с одной ветви петли тока на другую рассматриваются как результат перезарядки двух совмещенных конденсаторов, пластины которых расположены в положениях экстремумов вариации электронной плотности в области эмиттера, квантовой ямы и коллектора. Показано, что при компенсации внешнего и внутреннего полей в яме туннельный ток резко и необратимо переключается на характеристики другого резонанса, формируя широкую петлю гистерезиса, на ветвях которой происходит перераспределение заряда между квантовой ямой и коллектором. При совпадении полей образуется узкая "однорезонансная" петля гистерезиса, сопровождающаяся перетеканием электронного заряда из эмиттера в коллектор. Развитая модель приводит к согласию с результатами самосогласованного расчета и дает наглядную интерпретацию сложных процессов электронного туннелирования. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|