Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)

Dades bibliogràfiques
Parent link:Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы: тезисы докладов 4-ой Всероссийской конференции, 3–5 июля 2005 г., Санкт-Петербург/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). [С. 112-113].— , 2005
Autor principal: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Altres autors: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Sumari:Заглавие с экрана
Idioma:rus
Publicat: 2005
Matèries:
Accés en línia:http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2005.pdf#page=113
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648217

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 648217
005 20250908092332.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\13374 
090 |a 648217 
100 |a 20160513d2005 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)  |f А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 113 (3 назв.)] 
463 |t Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы  |o тезисы докладов 4-ой Всероссийской конференции, 3–5 июля 2005 г., Санкт-Петербург  |f Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ)  |v [С. 112-113]  |d 2005 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
700 1 |a Разжувалов  |b А. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук   |f 1976-  |g Александр Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656  |9 17300 
701 1 |a Гриняев  |b С. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1951-  |g Сергей Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160513  |g RCR 
856 4 |u http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2005.pdf#page=113 
942 |c CF