Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
| Parent link: | Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы: тезисы докладов 4-ой Всероссийской конференции, 3–5 июля 2005 г., Санкт-Петербург/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). [С. 112-113].— , 2005 |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Altri autori: | |
| Riassunto: | Заглавие с экрана |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
2005
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2005.pdf#page=113 |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648217 |
| Riassunto: | Заглавие с экрана |
|---|