"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Podobné jednotky

• Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
  Autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Vydáno: (2005)
• Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
  Autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Vydáno: (2015)
• Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
  Autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Vydáno: (2008)
• Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
  Autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Vydáno: (2008)
• Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
  Autor: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
  Vydáno: (2006)