Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
| Parent link: | Russian Physics Journal: Scientific Journal Vol. 55, iss. 7.— 2012.— [P. 764-771] |
|---|---|
| Autor principal: | Karavaev G. F. Gennady Fedorovich |
| Autor Corporativo: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики |
| Outros Autores: | Chernyshov V. N. Viktor Nikolaevich, Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich |
| Resumo: | Title screen Within the framework of the method of envelope functions, various matching conditions on the GaN/InGaN(0001) heteroboundaries are considered. The conditions of matching the envelope functions at which functions are joined with functions and derivatives are joined with derivatives for states in the center of the flat Brillouin zone are conventionally used. In this case, the envelope functions are symmetric (antisymmetric) about the quantum well center. This should not be the case for the anisotropic nitride heterostructures. The matching conditions based on pseudopotential calculations are suggested. These conditions qualitatively differ from those used conventionally and lead to discontinuities of the envelope functions on the heteroboundaries and removal of the above-mentioned symmetry even disregarding embedded spontaneous and piezoelectric polarization fields. The electron envelope functions appear shifted from the quantum well center in the direction of the [0001] hexagonal axis, and the holes envelope functions are shifted in the opposite direction. Different matching conditions considered in the present work lead to the energy levels in the well that differ from each other by several millielectronvolts. The electron and hole envelope functions important for the optical characteristics differ insignificantly when different matching conditions are employed; however, some of them become nonzero due to removal of the artificial symmetry. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | inglês |
| Publicado em: |
2012
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://dx.doi.org/10.1007/s11182-012-9879-1 |
| Formato: | Recurso Electrónico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648196 |
Registos relacionados
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicado em: (2016)
Publicado em: (2016)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado em: (2012)
Por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado em: (2012)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
Por: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicado em: (2015)
Por: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicado em: (2015)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2006)
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2006)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2013)
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2013)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
Por: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicado em: (2008)
Por: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicado em: (2008)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Publicado em: (2017)
Publicado em: (2017)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicado em: (2013)
Publicado em: (2013)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2003)
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2003)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2015)
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2015)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
Por: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicado em: (2018)
Por: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicado em: (2018)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2009)
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
Por: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicado em: (2009)
Por: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicado em: (2009)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2008)
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2008)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Publicado em: (2019)
Publicado em: (2019)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2013)
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2013)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicado em: (2015)
Publicado em: (2015)
Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2008)
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2008)
Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2005)
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2005)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
Por: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicado em: (2006)
Por: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicado em: (2006)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2015)
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2015)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Por: Ли Цзысюань
Publicado em: (2017)
Por: Ли Цзысюань
Publicado em: (2017)
Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2001)
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2001)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Publicado em: (2022)
Publicado em: (2022)
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
Por: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicado em: (2003)
Por: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicado em: (2003)
Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
Por: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicado em: (2001)
Por: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicado em: (2001)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado em: (Новосибирск, 2025)
Por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado em: (Новосибирск, 2025)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, 2017)
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2017)
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2017)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2011)
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2011)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, 2018)
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2018)
Por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2018)
Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2016)
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2016)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2007)
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2007)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2015)
Por: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicado em: (2015)
High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Publicado em: (2017)
Publicado em: (2017)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Por: Васенев А. С.
Publicado em: (2012)
Por: Васенев А. С.
Publicado em: (2012)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
Por: Ерофеев Е. В.
Publicado em: (2017)
Por: Ерофеев Е. В.
Publicado em: (2017)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicado em: (2011)
Publicado em: (2011)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicado em: (2015)
Publicado em: (2015)
Registos relacionados
-
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicado em: (2016) -
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Por: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicado em: (2012) -
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
Por: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicado em: (2015) -
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
Por: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicado em: (2006) -
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado em: (2013)