Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
| Parent link: | Russian Physics Journal: Scientific Journal Vol. 55, iss. 7.— 2012.— [P. 764-771] |
|---|---|
| Main Author: | Karavaev G. F. Gennady Fedorovich |
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики |
| Other Authors: | Chernyshov V. N. Viktor Nikolaevich, Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich |
| Summary: | Title screen Within the framework of the method of envelope functions, various matching conditions on the GaN/InGaN(0001) heteroboundaries are considered. The conditions of matching the envelope functions at which functions are joined with functions and derivatives are joined with derivatives for states in the center of the flat Brillouin zone are conventionally used. In this case, the envelope functions are symmetric (antisymmetric) about the quantum well center. This should not be the case for the anisotropic nitride heterostructures. The matching conditions based on pseudopotential calculations are suggested. These conditions qualitatively differ from those used conventionally and lead to discontinuities of the envelope functions on the heteroboundaries and removal of the above-mentioned symmetry even disregarding embedded spontaneous and piezoelectric polarization fields. The electron envelope functions appear shifted from the quantum well center in the direction of the [0001] hexagonal axis, and the holes envelope functions are shifted in the opposite direction. Different matching conditions considered in the present work lead to the energy levels in the well that differ from each other by several millielectronvolts. The electron and hole envelope functions important for the optical characteristics differ insignificantly when different matching conditions are employed; however, some of them become nonzero due to removal of the artificial symmetry. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | English |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dx.doi.org/10.1007/s11182-012-9879-1 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648196 |
Similar Items
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)
Published: (2016)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Published: (2013)
Published: (2013)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017)
Published: (2017)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)
Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)
Published: (2015)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates
Published: (2019)
Published: (2019)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Published: (2022)
Published: (2022)
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)
by: Васенев А. С.
Published: (2012)
High-voltage MIS-gated GaN transistors
Published: (2017)
Published: (2017)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)
Published: (2011)
Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2001)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2016)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2016)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Published: (2015)
Published: (2015)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)
Similar Items
-
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016) -
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015) -
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012) -
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006) -
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)