Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
| Parent link: | Russian Physics Journal: Scientific Journal Vol. 55, iss. 7.— 2012.— [P. 764-771] |
|---|---|
| Main Author: | Karavaev G. F. Gennady Fedorovich |
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики |
| Other Authors: | Chernyshov V. N. Viktor Nikolaevich, Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich |
| Summary: | Title screen Within the framework of the method of envelope functions, various matching conditions on the GaN/InGaN(0001) heteroboundaries are considered. The conditions of matching the envelope functions at which functions are joined with functions and derivatives are joined with derivatives for states in the center of the flat Brillouin zone are conventionally used. In this case, the envelope functions are symmetric (antisymmetric) about the quantum well center. This should not be the case for the anisotropic nitride heterostructures. The matching conditions based on pseudopotential calculations are suggested. These conditions qualitatively differ from those used conventionally and lead to discontinuities of the envelope functions on the heteroboundaries and removal of the above-mentioned symmetry even disregarding embedded spontaneous and piezoelectric polarization fields. The electron envelope functions appear shifted from the quantum well center in the direction of the [0001] hexagonal axis, and the holes envelope functions are shifted in the opposite direction. Different matching conditions considered in the present work lead to the energy levels in the well that differ from each other by several millielectronvolts. The electron and hole envelope functions important for the optical characteristics differ insignificantly when different matching conditions are employed; however, some of them become nonzero due to removal of the artificial symmetry. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | English |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dx.doi.org/10.1007/s11182-012-9879-1 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648196 |
Similar Items
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016)
Published: (2016)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Published: (2013)
Published: (2013)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Published: (2017)
Published: (2017)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2009)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Published: (2015)
Published: (2015)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2003)
Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2008)
Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2005)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2006)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Published: (2019)
Published: (2019)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2018)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2001)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Published: (2022)
Published: (2022)
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2003)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)
by: Narita, Tetsuo
Published: (2020)
Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2001)
by: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Published: (2001)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2015)
High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Published: (2017)
Published: (2017)
Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2016)
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2016)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Published: (2011)
Published: (2011)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Published: (2015)
Published: (2015)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)
Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Published: (2012)
Published: (2012)
Similar Items
-
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016) -
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015) -
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012) -
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
by: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Published: (2006) -
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)