Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 55, № 7.— 2012.— [С. 34-40] |
|---|---|
| Hlavní autor: | Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович |
| Korporativní autor: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики |
| Další autoři: | Чернышов В. Н. Виктор Николаевич, Разжувалов А. Н. Александр Николаевич |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN(0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок -в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2012
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://elibrary.ru/item.asp?id=18040643 |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648192 |
Podobné jednotky
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Autor: Караваев Г. Ф.
Vydáno: (2003)
Autor: Караваев Г. Ф.
Vydáno: (2003)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004)
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Vydáno: (2016)
Vydáno: (2016)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Autor: Ли Цзысюань
Vydáno: (2017)
Autor: Ли Цзысюань
Vydáno: (2017)
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)
Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
Autor: Горбацевич А. А.
Vydáno: (2003)
Autor: Горбацевич А. А.
Vydáno: (2003)
Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
Autor: Васько Ф. Т.
Vydáno: (2003)
Autor: Васько Ф. Т.
Vydáno: (2003)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2014)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2014)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
Autor: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Vydáno: (2012)
Autor: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Vydáno: (2012)
Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Vydáno: (2004)
Vydáno: (2004)
Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2013)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2013)
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2018)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2018)
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)
Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2012)
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2012)
Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2014)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2014)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
Autor: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Vydáno: (2006)
Autor: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Vydáno: (2006)
Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)
Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
Autor: Серов А. Ю.
Vydáno: (2004)
Autor: Серов А. Ю.
Vydáno: (2004)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
Autor: Бактыбаев А. А.
Vydáno: (2016)
Autor: Бактыбаев А. А.
Vydáno: (2016)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
Autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Vydáno: (2007)
Autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Vydáno: (2007)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
Autor: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Vydáno: (2015)
Autor: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Vydáno: (2015)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
Autor: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Vydáno: (2008)
Autor: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Vydáno: (2008)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)
Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Autor: Филато Д. О.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Autor: Филато Д. О.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Vydáno: (2017)
Vydáno: (2017)
Podobné jednotky
-
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013) -
Метод огибающих функций для гетероструктур. Модели сшивания и применения для [AlAs/AlxGa1-xAs(110)]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Autor: Караваев Г. Ф.
Vydáno: (2003) -
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013) -
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004) -
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)